* Obrázky sú len orientačné. Pozrite si špecifikácie produktu (datasheet).
Súbory na stiahnutie:
insert_drive_file AQD-SD5V32GN48-SB_datasheet20221005115850.pdf
Obchodné podmienky
| Pamäť | Výrobca | Advantech |
| Kapacita | 32 GB | |
| Výrobca čipu | SAMSUNG | |
| Organizácia čipu | 2 G X 8 | |
| Rank | 2 Rank | |
| Rozhranie | 262 pin | |
| Frekvencia | 4800 MHz | |
| Napätie | 1.1V | |
| Výška PCB | 1.18" | |
| Funkcia | Unbuffered | |
| Prevádzková teplota | 0 ~ 85°C |
Tabuľka dát
Po vytvorení objednávky obdržíte e-mail so zálohovou faktúrou, kde je podrobne vypočítaná najvýhodnejšia cena dopravy. U nás nezaplatíte skryté poplatky, cenu dopravy nepremietame do ceny produktu. Ďalej vám poskytneme odhadovaný termín dodania. Potvrdením zálohovej faktúry nám dávate zelenú pre expedíciu vašej objednávky a súhlasíte s našimi dodacími podmienkami.
Sme hrdým certifikovaným partnerom značky Advantech, Westermo, Elproma a Korenix. Vďaka tomu môžete mať istotu, že nakupujete kvalitné a overené produkty priamo od dôveryhodného dodávateľa. Navštívte odkaz a overte našu spoluprácu priamo na oficiálnych stránkach.
Náš tím má bohaté skúsenosti s návrhom a realizáciou veľkých priemyselných projektov. Už sme spolupracovali s významnými priemyselnými podnikmi, metrom a železničnou dopravou. Ak máte v pláne väčší projekt alebo potrebujete konzultáciu, sme tu pre vás! Naši špecialisti vám radi pomôžu a pripravia ponuku presne na mieru vašim potrebám.
Máte otázky alebo potrebujete rýchlu pomoc? Náš zákaznícky servis je pripravený vám odpovedať čo najrýchlejšie a poskytnúť vám všetky informácie, ktoré potrebujete.
Veríme v kvalitu našich produktov a služieb. Ak z nejakého dôvodu nebudete spokojní, radi vám pomôžeme nájsť riešenie.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Dva 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie rovnakého banku. On-die ECC pre zlepšenú RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Dva 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v rámci rovnakej banky. On-die ECC pre vylepšenú RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnova v rámci tej istej banky. Vstavaná ECC pre zlepšenú RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Nebufrovaný Samsung Čip Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové podkanály. Navýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova rovnakou bankou. On-die ECC pre zlepšenú RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Dva 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie rovnakého banku. On-die ECC pre zlepšenú RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Pôvodný čip Samsung. Dva 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v rámci rovnakej banky. On-die ECC pre vylepšenú RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Samsung Chip Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové podkanály. Zvýšený počet bánk a dĺžka výbuchu. DDR5 4.8GT/s. Obnova v rámci tej istej banky. Vstavaná ECC pre zlepšenú RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Nebufrovaný Samsung Čip Pôvodný čip Samsung. Dvojité 32-bitové podkanály. Navýšený počet bánk a dĺžka burstu. DDR5 4.8GT/s. Obnova rovnakou bankou. On-die ECC pre zlepšenú RAS.
