SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použitý originální IC od Samsung/Micron.Podpora funkce On-Die ECC.Vestavěný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použití originálních IC od Samsung/Micron. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěný nezávislý IC pro řízení napájení. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

ECC SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Použitý originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce ECC. Vestavěné nezávislé řízení napájení IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použit původní Samsung IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.

SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung IC. Vestavěný nezávislý IC pro správu napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.

RDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování kvality. Kompatibilní s platformami serverů. Přijaty originální IC čipy. 30u” zlatý konektor. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

RDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 16/32/64/128GB.100% testování kvality.Kompatibilní se serverovou platformou.Použitý originální IC čip.30u” zlaté kontakty.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

RDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 16/32/64/128GB. 100% testování screeningem. Kompatibilní s platformou serverů. Použit originální IC čip. 30u" zlatý kontakt. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

260pin SODIMM-D4-2666 16G 1Gbx8 HYNX 0-85 Použity originální čipy Samsung/Micron IC. Rychlost přenosu dat: 3200/2666MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. Životnost 3 roky, pevně stanovený BOM, doživotní záruka.

ECC UDIMM DDR4 3200 8GB (0-85) SAM-G Pevné BOM/ Pevné jádro. 30u” zlatý kontakt. Použit původní čip první úrovně. EEPROM s tepelným senzorem. 100% testování na obrazovce. Testování vypalováním.

SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (-40-85) SAM 30u” zlatý kontakt. Široký teplotní rozsah: -40oC~85oC. Použití originálního čipu první úrovně. Fixní BOM & doživotní záruka. Monitorování DRAM softwarem.

SODIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (-40-85) SAM 260pinový SODIMM ECC DIMM. Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 4/8/16/32GB. Původní IC čip (Samsung/Hynix). Podpora širokého teplotního rozsahu -40oC~85oC. Podpora funkce ECC.

ECC UDIMM DDR4 3200 16GB (0-85) SAM-G Fixní BOM/ fixní čip. 30u” zlatý konektor. Použit originální čip od předního výrobce. EEPROM s teplotním senzorem. 100% testování obrazovky. Testování zatížením (Burn-In Test).

SODIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) SAM 260pinový SODIMM ECC DIMM.Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s.Kapacita: 4/8/16/32GB.Původní IC čip (Samsung/Hynix).Podpora širokého teplotního rozsahu -40°C~85°C.Podpora funkce ECC.

SODIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-40-85) SAM 30u” Zlatý kontakt. Široký teplotní rozsah: -40°C~85°C. Použití původního čipu první úrovně. Pevná specifikace BOM & doživotní záruka. Monitorování DRAM pomocí softwaru.

SODIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (-40-85) SAM 30µ” zlatý kontakt. Široký teplotní rozsah: -40°C~85°C. Použití originálních čipů první úrovně. Pevná struktura BOM a doživotní záruka. Monitorování DRAM pomocí softwaru.

SODIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM. Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 4/8/16/32GB. Původní IC čip (Samsung/Hynix). Podpora širokého teplotního rozsahu -40°C~85°C. Podpora funkce ECC.

RDIMM D4 3200 8GB (0-85) SAM-G 1Gbx8 100% testování. Kompatibilní se serverovou platformou. Použitý originální IC čip. 30u” pozlacený kontakt.

RDIMM D4 3200 16GB (0-85) SAM-G 1Gbx8 100% testování. Kompatibilní se serverovou platformou. Použit původní IC čip. 30u” pozlacené kontakty.

SODIMM DDR4 3200 8GB (0-85) SAM-G Použity originální čipy Samsung/Micron IC. Přenosová rychlost dat: 3200/2666MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. Životnost 3 roky, pevná BOM, doživotní záruka.

RDIMM D4 3200 128GB (0-85) SAM 8Gx4 100% screeningový test. Kompatibilní se serverovou platformou. Přijatý originální čip IC. 30u" Golden Finger.

ECC UDIMM DDR4 2666 4GB 512x8 (0-85) Pevný kusovník/pevná matrice. 30u" Golden Finger. Přijatý původní čip první úrovně. EEPROM s tepelným senzorem. 100% test obrazovky. Test zapálení.

SODIMM DDR3L 1600 2GB 256X16, ISSI-C(-40-95) 30u” zlatý konektor. Provozní teplota: -40° C až +85° C. 100% testování kvality. Použití originálních čipů od dodavatele. EEPROM s tepelným senzorem. Zátěžový test.

UDIMM DDR3L 1600 8GB Micron 512X8 (0-85) Původní paměťový IC od Samsungu. PEVNÝ BOM. 3 roky životnosti a záruka na celý život. Podléhá přísnému testovacímu programu. Podpora chytrého monitorování (SQR Manager).

UDIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.

UDIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) SAM 288-pinový modul paměti Dual In-Line.Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s.Kapacita: 2GB/4GB/8GB/16GB.Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.Pevná BOM / Doživotní záruka.

SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 95 °C.

SODIMM DDR4 2666 16GB 1Gbx8 (-40-85C) 30u” pozlacené kontakty. Široký teplotní rozsah: -40oC~85oC. Použití čipu první úrovně. Pevně stanovený seznam součástek a doživotní záruka. Monitorování DRAM pomocí softwaru.

UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.

UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s.Kapacita: 8/16/24/32/48GB.Použitý originální Samsung/Micron IC.Podpora funkce ECC na čipu.Integrovaný nezávislý Power Management IC.Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.

SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.

SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Samsung Rychlost přenosu dat: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8/16/24/32/48GB. Použity originální Samsung/Micron IC. Podpora funkce On-Die ECC. Vestavěný nezávislý Power Management IC. Provozní teplota: 0°C ~ 95°C.

SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rychlost přenosu dat: 4800 MT/s. Kapacita: 16GB/32GB. Původní integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkce ECC na desce. Integrovaný integrovaný obvod pro nezávislou správu napájení. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C.

SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (-40-85) Samsung Přenosová rychlost: 4800/5600 MT/s. Kapacita: 8GB/16GB/32GB. Použitý originální Samsung IC. Zabudovaný samostatný IC pro řízení napájení. Provozní teplota: -40°C ~ 95°C.

(DEL12)SQRAM 4G 240P DDR3-1333 I-GRD SAM-C Provozní teplota: -40° C až +85° C. Zlaté pokovení na zlatém prstu PCB je 30u". JEDEC standardní napájecí napětí 1,5 V ± 0,075 V. Maximální frekvence hodin: 667 MHz; 1333 Mb/s/pin. Sériová přítomnost detekována pomocí 2048bitové EEPROM.

(DEL12)SQRAM 2G 240P DDR3-1333 I-GRD SAM-C Provozní teplota: -40° C až +85° C. Pozlacení na zlatém kontaktu PCB je 30u". Napájecí zdroj podle standardu JEDEC: 1,5 V ± 0,075 V. Max. frekvence hodin: 667 MHz; 1333 Mb/s/Pin. Sériová přítomnost detekována s 2048bitovým EEPROM.

SQRAM 1G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM-G 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: -40° C až +85° C. 100% testování. Použití originálního dodavatele čipů. EEPROM s tepelným senzorem. Test stárnutí komponentů.

SQRAM 2G SO-DDR2-667 128x8 I-GRD SAM-F Provozní teplota: -40° C až +85° C.Pozlacení na zlatém prstu PCB je 30 u".Napájecí zdroj podle standardu JEDEC 1,8 V ± 0,1 V.Maximální frekvence hodin: 333 MHz; 667 Mb/s/Pin.Sériová přítomnost detekována s 2048bitovým EEPROM.

SQRAM 1G SO-DDR2-667 128x8 I-GRD SAM-F Provozní teplota: -40° C až +85° C.Zlaté pokovení na PCB zlatém prstu je 30 u".Napájecí napětí dle standardu JEDEC: 1,8 V ± 0,1 V.Maximální frekvence hodin: 333 MHz; 667 Mb/s/pin.Sériová detekce přítomnosti s EEPROM o kapacitě 2048 bitů.

260pin ECC SODIMM-D4-2666 32G SAM 2Gbx8, 0-85 260pin SODIMM ECC DIMM.Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s.Kapacita: 4/8/16/32GB.Původní IC čip (Samsung/Hynix).Podpora širokého teplotního rozsahu -40°C~85°C.Podpora funkce ECC.

Odolná ECC-D4 2666 32GB SAM 2Gx8, -40-85 Robustní PCB navrženo s montážním otvorem, ověřeno podle vojenského standardu MIL-810G. Extrémní přenosová rychlost až 3200 MT/s. Kapacita: až 32GB. Podporovaný široký teplotní rozsah: -40°C ~ 85 °C. Originální čip IC (Samsung/Hynix).

SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) Micron Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevná kusovník, doživotní záruka.

SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (0-85) Micro Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevná kusovník, doživotní záruka.

SODIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevná kusovník, doživotní záruka.

SODIMM DDR4 3200 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevná kusovník, doživotní záruka.

RDIMM D4 3200 16GB (0-85) SAM-C 1Gbx8 100% testováno. Kompatibilní se serverovou platformou. Použitý originální čip IC. 30u” zlatý kontakt.

UDIMM DDR4 2666 8GB 512x8 (0-85) SAM_F 288-pinový paměťový modul Dual In-Line. Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 2GB/4GB/8GB/16GB. Provozní teplota: 0°C ~ 85°C. Pevný BOM / Doživotní záruka.

PAMĚŤOVÝ MODUL, 240pin UDIMM ECC D3 1600 8G 512x8 SAM E DIE Originální paměťové čipy (Samsung/Hynix). Podpora funkce ECC. Pevná specifikace BOM. Podpora širokého rozsahu teplot (-40~85 °C).

SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevná kusovník, doživotní záruka.

ECC SODIMM DDR4 2666 8GB 1GX8 (0-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 4/8/16/32GB. Původní IC čip (Samsung/Hynix). Podpora širokého teplotního rozsahu -40°C~85°C. Podpora funkce ECC.

ECC SODIMM DDR4 2666 8GB 1Gx8 (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM.Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s.Kapacita: 4/8/16/32GB.Původní IC čip (Samsung/Hynix).Podpora širokého teplotního rozsahu -40°C až 85°C.Podpora funkce ECC.

ECC SODIMM DDR4 2666 16GB 1Gx8 (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM.Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s.Kapacita: 4/8/16/32GB.Původní IC čip (Samsung/Hynix).Podpora širokého rozsahu teplot -40°C~85°C.Podpora funkce ECC.

SODIMM DDR3L 1600 8GB 512x8(0-85°C) Přizpůsobené originální čipy Samsung/Micron IC. Přenosová rychlost: 1600MHz. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 30u” zlatý konektor a fixní BOM. Inteligentní software pro sledování reálných informací DRAM zdarma.

SODIMM DDR3L 1600 8GB Mi-Grade (-20-85) Použitý originální čip Samsung první třídy. Přenosová rychlost dat: 1600MT/s. 3letá životnost a doživotní záruka. Provozní teplota: -20 °C ~ 85 °C. Bezplatný inteligentní software pro sledování informací DRAM v reálném čase.

SQRAM 4G SO-DDR3-1600 (-20~85) LOW VOL Přijatý originální čip Samsung první úrovně. Rychlost přenosu dat: 1600MT/s. 3letá životnost a doživotní záruka. Provozní teplota: -20 °C ~ 85 °C. Bezplatný inteligentní software monitorující informace DRAM v reálném čase. .

SODIMM DDR3L 1600 8GB I-Grade (-40-85) 30u” pozlacené kontakty. Provozní teplota: -40° C až +85° C. 100% testování kvality. Použití originálních čipů od výrobce. EEPROM s tepelným senzorem. Test odolnosti vůči vysoké zátěži.

SQRAM 8G SO-DDR3-1600 NÍZKONAPĚŤOVÝ I-GRD 30u" Golden Finger. Provozní teplota: -40 °C až +85 °C. 100% screeningový test. Původní dodavatel čipů přijal. EEPROM s tepelným senzorem. Test zapálení.

SODIMM DDR3L 1600 4GB 256X16, ISSI-C(-40 30u" Golden Finger. Provozní teplota: -40 °C až +85 °C. 100% screeningový test. Původní dodavatel čipů přijal. EEPROM s tepelným senzorem. Test zapálení.

SQRAM 4G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: -40° C až +85° C. 100% testování screeningem. Původní výrobce čipu přijat. EEPROM s tepelným senzorem. Test vypalování.

SQRAM 2G SO-DDR3-1600 NÍZKONAPĚŤOVÝ I-GRD 30u" Golden Finger. Provozní teplota: -40 °C až +85 °C. 100% screeningový test. Původní dodavatel čipů přijal. EEPROM s tepelným senzorem. Test zapálení.

RDIMM D4 3200 8GB (0-85) SAM-C 1Gbx8 100% testování skríninku. Kompatibilní se serverovou platformou. Použitý originální IC čip. 30u” pozlacený kontakt.

RDIMM DDR4 2666 4GB s/ECC 512x8 SAM 0-85 100% testování. Kompatibilní se serverovou platformou. Použit originální IC čip. 30u” zlatý kontakt.

RDIMM D4-3200 32GB HYNIX 2Gx4, 0-85 100% screeningový test. Kompatibilní se serverovou platformou. Přijatý originální čip IC. 30u" Golden Finger.

RDIMM D4 3200 32GB (0-85) SAM 2Gbx4 100% testování kvality. Kompatibilní se serverovou platformou. Použit originální IC čip. 30u” pozlacené kontakty.

SODIMM(ECC) DDR4 2133 16GB (-40-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Rychlost přenosu dat: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2GB~16GB. Původní čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkce ECC. Široký teplotní rozsah -40oC ~ 85oC.

ECC SO D4 2400 16GB (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM. Rychlost přenosu dat: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2GB~16GB. Původní čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkce ECC. Široký teplotní rozsah -40oC ~ 85oC.

SODIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Rychlost přenosu dat: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2GB~16GB. Původní čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkce ECC. Široký teplotní rozsah -40oC ~ 85oC.

UDIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) S Pevný kusovník/pevná matrice. 30u" Golden Finger. Přijatý původní čip první úrovně. EEPROM s tepelným senzorem. 100% test obrazovky. Test zapálení.

RDIMM D4 2400 16GB (0-85) SAM 1Gx8 100% screeningový test. Kompatibilní se serverovou platformou. Přijatý originální čip IC. 30u" Golden Finger.

RDIMM D4 2666 16GB (0-85) SAM-C 1Gbx8 100% testováno. Kompatibilní se serverovou platformou. Použit originální IC čip. 30u” zlatý kontakt.

Odolný SODIMM DDR4 2666 16GB Hynix 1Gx8, 0-85°C Robustní PCB navrženo s montážním otvorem, ověřeno podle vojenské normy MIL-810G.Extrémní rychlost přenosu dat až 3200 MT/s.Kapacita: až 32GB.Podpora širokého teplotního rozsahu: 0°C ~ 85°C.Původní IC čip (Samsung/Hynix).

SODIMM DDR4 2133 16GB 1Gbx8 (-40-85C) 30u" Golden Finger. Široký teplotní rozsah: -40oC ~ 85oC. Přijetí originálního čipu první úrovně. Pevná kusovníková položka a doživotní záruka. Monitorování softwaru DRAM.

SODIMM DDR4 2400 16GB 1Gbx8 (-40-85C) 30u" Golden Finger. Široký teplotní rozsah: -40oC ~ 85oC. Přijetí originálního čipu první úrovně. Pevná kusovníková položka a doživotní záruka. Monitorování softwaru DRAM.

SODIMM DDR4 2133 16GB 1Gbx8 (-20-85C) Přijatý originální čip IC. 30u" Golden Finger. Rozšířená teplota: -20C ~ 85C. Podpora softwarového nástroje Monitor DRAM. Doživotní záruka.

SODIMM DDR4 2400 16GB 1Gbx8 (-20-85C) Přijatý originální čip IC. 30u" Golden Finger. Rozšířená teplota: -20C ~ 85C. Podpora softwarového nástroje Monitor DRAM. Doživotní záruka.

SODIMM DDR4 2400 16GB 1Gbx8 (0-85C) Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevná kusovník, doživotní záruka.

SODIMM DDR4 2666 16GB 1Gbx8 (0-85°C) Použity originální čipy Samsung/Micron IC. Rychlost přenosu dat: 3200/2666MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevný BOM, doživotní záruka.

UDIMM DDR4 2666 16GB 1024x8 (0-85) SAM-C 288-pinový modul paměti s dvojitou řadou kontaktů.Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s.Kapacita: 2GB/4GB/8GB/16GB.Provozní teplota: 0°C ~ 85°C.Pevná specifikace komponent / Doživotní záruka.

SQRAM 2G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: -40° C až +85° C. 100% testování funkčnosti. Použity originální čipy výrobce. EEPROM s tepelným senzorem. Test odolnosti (Burn-In Test).

SODIMM DDR3L 1333 2GB 256x8 SAM-F(-40-85) 30u” zlatý kontakt. Provozní teplota: -40° C až +85° C. 100% testování kvality. Adoptován původní výrobce čipu. EEPROM s teplotním senzorem. Zátěžový test.

SODIMM DDR3L 1600 2GB I-Grade (-40-85) 30u” zlaté kontakty. Provozní teplota: -40 °C až +85 °C. 100% testování screeningem. Použití originálního dodavatele čipů. EEPROM s tepelným senzorem. Test zatížení (Burn-In Test).

SODIMM DDR3L 1600 2GB Mi-Grade (-20-85) Použit původní čip Samsung první úrovně. Přenosová rychlost dat: 1600MT/s. 3letá životnost a doživotní záruka. Provozní teplota: -20 °C až 85 °C. Inteligentní software pro monitorování DRAM poskytuje informace v reálném čase zdarma.

SODIMM DDR3L 1866 2GB Micron 256x16 0-85 Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 1600MHz. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C/ široká teplota -40 °C ~ 85 °C. 30u" zlatý prst a pevný BOM. Bezplatný inteligentní software monitorující informace DRAM v reálném čase.

SODIMM DDR3L 1866 4GB Micron 256x16 0-85 Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 1600MHz. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C/ široká teplota -40 °C ~ 85 °C. 30u" zlatý prst a pevný BOM. Bezplatný inteligentní software monitorující informace DRAM v reálném čase.

260pin ECC SO-D4-2666 32G 2Gbx8, -40-85 260pin SODIMM ECC DIMM. Rychlost přenosu dat: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2GB~16GB. Původní čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkce ECC. Široký teplotní rozsah -40oC ~ 85oC.

SODIMM DDR4 2666 32G SAM 2Gbx8 (-40-85C) 30u” Zlatý kontakt. Široký teplotní rozsah: -40°C~85°C. Originální čip první úrovně. Fixní seznam součástek a doživotní záruka. Monitorování DRAM pomocí softwaru.

SODIMM DDR4 2400 8GB 1Gbx8 (-40-85C) 30u" Golden Finger. Široký teplotní rozsah: -40oC ~ 85oC. Přijetí originálního čipu první úrovně. Pevná kusovníková položka a doživotní záruka. Monitorování softwaru DRAM.

SODIMM DDR4 2666 8GB 1Gbx8 (-40-85°C) 30μ” zlatý kontakt. Široký rozsah teplot: -40°C~85°C. Použití originálního čipu první úrovně. Fixní BOM a doživotní záruka. Monitorování DRAM pomocí softwaru.

SODIMM DDR4 2666 8GB 1Gbx8 (-20-85°C) Použit původní IC čip.30u” Zlatý kontakt.Rozšířený teplotní rozsah: -20°C až 85°C.Podpora softwarového nástroje pro monitorování DRAM.Doživotní záruka.

SODIMM DDR4 2400 8GB 1Gbx8 (0-85C) Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Rychlost přenosu dat: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3letá životnost, pevná kusovník, doživotní záruka.

SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gbx8 (0-85°C) Původní čipy Samsung/Micron IC upravené. Přenosová rychlost dat: 3200/2666 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Provozní teplota: 0 °C ~ 85 °C. Životnost 3 roky, fixní BOM, doživotní záruka.

UDIMM DDR4 2666 8GB 1Gx8 (0-85) SAM 288-pinový paměťový modul s dvojitou řadou pinů. Přenosová rychlost dat: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 2GB/4GB/8GB/16GB. Provozní teplota: 0°C ~ 85°C. Pevný seznam součástek / Doživotní záruka.