SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR3L 1600 8GB 512x8(0-85°C) Original Samsung/Micron IC-Chips adaptiert. Datenübertragungsrate: 1600MHz. Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C. 30u” vergoldeter Kontakt und festgelegtes BOM. Kostenlose intelligente Software zur Überwachung von DRAM-Echtzeitinformationen.
204-poliges SODIMM DDR3L 1600 8GB 512x8(-40-85) Mikro 30 µ” vergoldete Kontakte. Betriebstemperatur: -40° C bis +85° C. 100% Screening-Test. Originaler Chip-Hersteller verwendet. EEPROM mit Temperatursensor. Burn-In-Test.
SODIMM DDR3L 1866 4GB (-40-85) Erstklassiger Original-Samsung-Chip übernommen. Datenübertragungsrate: 1600MT/s. 3 Jahre Langlebigkeit und lebenslange Garantie. Betriebstemperatur: -20 °C ~ 85 °C. Kostenlose intelligente Software überwacht DRAM-Echtzeitinformationen. .
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM D4 3200 16GB (0-85) 2Gx8 Hynix Originale Hynix IC-Chips verwendet. Datenübertragungsrate: 3200MT/s. Kapazität: 4/8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C. Lebenslange Garantie.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung IC verwendet. Integrierte unabhängige Strommanagement-IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung(-40~95) Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung IC verwendet. Integrierte unabhängige Stromverwaltungs-IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 16GB (0-85) SAM-G Originale Samsung/Micron IC-Chips angepasst. Datenübertragungsrate: 3200/2666MT/s. Kapazität: 2/4/8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C. 3 Jahre Lebensdauer, festgelegtes BOM, lebenslange Garantie.
UDIMM DDR4 3200 16 GB 1024x8 (0–85 °C) Micron 288-Pin Dual In-Line Memory Module (DIMM).Datenübertragungsrate: 3200 MT/s.Kapazität: 4 GB / 8 GB / 16 GB / 32 GB.Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C.Feste Stückliste (BOM) / Lebenslange Garantie.
RDIMM DDR5 6400 64GB 4Gx4 (0–95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128 GB. 100%-Screening-Test. Kompatibel mit Server-Plattformen. Original-IC-Chips verwendet. 30 µ” Goldfinger-Kontakte. Betriebstemperatur: 0 °C bis 95 °C.
ECC UDIMM DDR4 3200 32GB (0-85) SAM-C Feste Stückliste/Fester Die. 30u" vergoldeter Kontakt. Originaler Chip von Tier eins übernommen. EEPROM mit Temperatursensor. 100% Bildschirmtest. Burn-In-Test.
UDIMM DDR4 3200 4GB 512Gx16 (0-85) Micron 288-poliges Dual In-Line Memory Module.Datenübertragungsrate: 3200 MT/s.Kapazität: 4GB/8GB/16GB/32GB.Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.Festgelegtes BOM / Garantie auf Lebenszeit.
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) SAM 260-poliges SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2666/3200 MT/s. Kapazität: 4/8/16/32GB. Originaler IC-Chip (Samsung/Hynix). Unterstützung für weiten Temperaturbereich -40°C~85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiger Power-Management-IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Unabhängiger Power-Management-IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-40-85) SAM 260-poliges SODIMM ECC DIMM.Datenübertragungsrate: 2666/3200 MT/s.Kapazität: 4/8/16/32GB.Originaler IC-Chip (Samsung/Hynix).Unterstützung für weiten Temperaturbereich -40°C~85°C.Unterstützung der ECC-Funktion.
ECC SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 5600/4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original: Samsung/Micron IC verwendet. Integrierter unabhängiger Power Management IC. Unterstützung der ECC-Funktion. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
RDIMM D4 2666 8GB (0-85) SAM-C 1Gbx8 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30µ” Goldkontakte.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (-40-85) SAM 30u” Goldkontakt. Weiter Temperaturbereich: -40°C bis 85°C. Verwendung von Tier-One Original-Chips. Festgelegtes BOM & lebenslange Garantie. DRAM Software-Überwachung.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s.Kapazität: 8GB/16GB/32GB.Original Samsung/Hynix IC verwendet.Unabhängiger Power Management IC integriert.Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 64GB (0-85) SAM 4Gx4 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” Goldkontakt.
DDR5 CXL 2.0 E3.S-2T Type3 PCIE5.0 64GB EDSFF E3.S 2T Formfaktor. Datenübertragungsrate: PCIe Gen 5.0x8 32GT/s. Kapazität: 64GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C. 30μ’’ PCB-Goldfinger. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Register Clock Driver (RCD) für stabile Leistung. Unterstützung der...
SODIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) SAM 260-poliger SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2666/3200 MT/s. Kapazität: 4/8/16/32GB. Originaler IC-Chip (Samsung/Hynix). Unterstützung für großen Temperaturbereich -40°C~85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM DDR4 2666 8GB 1Gbx8 (0-85°C) Original Samsung/Micron IC-Chips angepasst. Datenübertragungsrate: 3200/2666MT/s. Kapazität: 2/4/8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C. 3 Jahre Lebensdauer, Festgelegtes BOM, Lebenslange Garantie.
SODIMM ECC DDR4 3200 32 GB 2Gx8 (-40 bis 85 °C) Micron 260-Pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32 GB. Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C / -40 °C bis 85 °C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48/64GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 32GB (-40-85)Hynix 30u” Goldkontakte. Großer Temperaturbereich: -40°C~85°C. Erstklassiger Originalchip verwendet. Lebenslange Garantie. DRAM Softwareüberwachung.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Unabhängige Power Management IC integriert. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 32GB (0-85) SAM 2Gbx4 100% Screening-Test.Kompatibel mit Serverplattform.Originaler IC-Chip verwendet.30u” vergoldeter Anschluss.
SODIMM DDR4 3200 8GB 1024x8 (-20-85) SAM-C Originaler IC-Chip verwendet.30u” Goldkontakte.Erweiterter Temperaturbereich: -20°C~85°C.Unterstützung von DRAM-Überwachungssoftware.Lebenslange Garantie.
260-Pin SODIMM-D4-2666 8G 1Gbx8 HYNX 0-85 Original Samsung/Micron IC-Chips verwendet.Datenübertragungsrate: 3200/2666MT/s.Kapazität: 2/4/8/16/32GB.Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C.3 Jahre Langlebigkeit, feste Stückliste (BOM), lebenslange Garantie.
SQRAM 4G SO-DDR3-1600 NIEDERSPANNUNG I-GRD 30u" Goldener Finger. Betriebstemperatur: -40° C bis +85° C. 100% Screening-Test. Ursprünglicher Chip-Anbieter übernommen. EEPROM mit Wärmefühler. Burn-In Test.
SODIMM DDR4 2666 32GB 2Gbx8 (0-85C) Original Samsung/Micron IC-Chips angepasst. Datenübertragungsrate: 3200/2666MT/s. Kapazität: 2/4/8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C. 3 Jahre Lebensdauer, festgelegte Stückliste (BOM), lebenslange Garantie.
RDIMM DDR4 3200 32 GB 2Gx8, ECC, Registered (-25 bis 85 °C) Originaler Hynix-IC-Chip eingesetzt. Unterstützt einen erweiterten Betriebstemperaturbereich von -25 bis 85 °C. Datenübertragungsrate bis zu 3200 MT/s.
SODIMM DDR5 6400 48GB 3Gx8 (-25 bis 95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64GB. Originale Hynix-ICs werden verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC (PMIC). CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25°C bis 95°C.
SODIMM DDR5 6400 64GB 4Gx8 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64 GB. Originale Hynix-ICs verwendet. Unterstützt On-Die-ECC-Funktion. Integrierter IC für unabhängiges Power-Management. CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25 °C bis 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 16GB 2Gx8 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64 GB. Originale Hynix-ICs verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierter Power-Management-IC (PMIC). CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25 °C bis 95 °C.
SODIMM DDR5 6400 32GB 2Gx8 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64GB. Originale Hynix-ICs werden verwendet. Unterstützt On-Die-ECC-Funktion. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC. CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25°C bis 95°C.
SODIMM DDR5 6400 8GB 1Gx16 (-25–95) Hynix Datenübertragungsrate: 6400 MT/s. Kapazität: 8/16/32/48/64 GB. Originale Hynix-ICs verwendet. Unterstützung der On-Die-ECC-Funktion. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC. CKD & TVS-Diode auf dem Modul. Betriebstemperatur: -25 °C bis 95 °C.
ECC UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original: Samsung-/Micron-ICs verwendet. Integrierter, unabhängiger Power-Management-IC. Unterstützung der ECC-Funktion. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
ECC UDIMM DDR4 3200 32 GB 2Gx8 (0–85) Micron 288-poliges Dual-In-Line-Speichermodul (DIMM). Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32 GB. Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C. Lebenslange Garantie. Unterstützung der ECC-Funktion. 30 μ" PCB-Goldfinger (vergoldete Kontaktleiste).
RDIMM D4 3200 8 GB (0–85) Micron 1Gb x8 100% Screening-Test.Kompatibel mit Server-Plattformen.Original-IC-Chip verwendet.30 µ” Goldfinger.
SODIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (-40 bis 85) Micron 260-Pin SODIMM ECC-DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32 GB. Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C / -40 °C bis 85 °C. Unterstützung der ECC-Funktion.
RDIMM D5 4800 96GB (0-85) SAM 6Gbx4 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip übernommen. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR4 3200 8GB 1024x8 (0-85) Micron 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 4GB/8GB/16GB/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Festgelegtes BOM / Lebenslange Garantie.
ECC UDIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) Micron 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie. Unterstützung der ECC-Funktion. 30μ" PCB Goldkontakt.
UDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48 GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC übernommen. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 Hynix Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48 GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Leistungsmanagement-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 32GB (0-85) Micron 2Gbx8 100% Screening-Test. Kompatibel mit Server-Plattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt.
ECC UDIMM DDR5 5600 48GB 3Gb*8 (0-95) Micron Datenübertragungsrate: 5600 MT/s.Kapazität: 16GB/32GB.Original: Samsung/Micron IC verwendet.Unabhängiger Power Management IC integriert.Unterstützung der ECC-Funktion.Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
RDIMM D4 3200 16GB (0-85) Micron1Gbx8 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt.
RDIMM DDR5 5600 128GB 8Gx4 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” Goldkontakte. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85C) Hynix 288-poliges Dual-In-Line-Speichermodul. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 4GB/8GB/16GB/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie.
UDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48 GB. Original Samsung/Hynix/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
UDIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (0-85) Hynix 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 4GB/8GB/16GB/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie.
UDIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85°C) Hynix 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 4GB/8GB/16GB/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie.
UDIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85C) Hynix 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 4GB/8GB/16GB/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie.
UDIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) Hynix 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie. Unterstützung der ECC-Funktion. 30μ" PCB Goldkontakt.
UDIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) Hynix 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie. Unterstützung der ECC-Funktion. 30μ" PCB Goldfinger.
UDIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) Hynix 288-poliges Dual In-Line Memory Module. Datentransferrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C. Lebenslange Garantie. Unterstützung der ECC-Funktion. 30μ" PCB Goldkontakt.
SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung/Hynix IC verwendet. Integrierter unabhängiger Power-Management-IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 8GB 1Gx16 (-40-85) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung/Hynix IC verwendet. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 (-40-85) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8GB/16GB/32GB. Original Samsung/Hynix IC verwendet. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C.
SODIMM D4 3200 8GB (0-85) 1Gx8 Hynix Original Hynix IC-Chips verwendet.Datenübertragungsrate: 3200MT/s.Kapazität: 4/8/16/32GB.Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C.Lebenslange Garantie.
SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (0-85) Hynix Originale Hynix IC-Chips verwendet. Datenübertragungsrate: 3200MT/s. Kapazität: 4/8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C. Lebenslange Garantie.
SODIMM D4 3200 32GB (0-85) 2Gx8 Hynix Verwendung von originalen Hynix-IC-Chips.Datenübertragungsrate: 3200MT/s.Kapazität: 4/8/16/32GB.Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C.Lebenslange Garantie.
SODIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) Hynix 260-poliges SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (0-85) Hynix 260-poliges SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) Hynix 260-pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (-40-85) Micron 30u” vergoldete Kontakte. Großer Temperaturbereich: -40oC~85oC. Erstklassiger Originalchip verwendet. Lebenslange Garantie. DRAM-Softwareüberwachung.
SODIMM DDR4 3200 8GB (-40-85)Hynix 30u” vergoldeter Kontakt. Großer Temperaturbereich: -40oC~85oC. Tier-One Originalchip verwendet. Lebenslange Garantie. DRAM Software-Überwachung.
SODIMM ECC DDR4 3200 8GB 1Gx8 (-40-85) Hynix 260-poliges SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-40-85) Micron 30u” Goldkontakte.Großer Temperaturbereich: -40°C~85°C.Tier-1 Originalchip-Verwendung.Lebenslange Garantie.DRAM-Softwareüberwachung.
SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (-40-85) Hynix 30u” Goldkontakte. Weiter Temperaturbereich: -40oC~85oC. Verwendung von erstklassigen Originalchips. Lebenslange Garantie. DRAM-Softwareüberwachung.
SODIMM DDR4 3200 16GB 1Gx8 (-40-85) Micron 30u” Goldkontakt. Großer Temperaturbereich: -40°C bis 85°C. Verwendung von erstklassigen Originalchips. Lebenslange Garantie. DRAM Softwareüberwachung.
SODIMM ECC DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-40-85) Hynix 260-poliges SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM ECC DDR4 3200 16GB 1Gx8 (-40-85) Hynix 260-poliges SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 3200 MT/s. Kapazität: 8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C/-40°C ~ 85°C. Unterstützung der ECC-Funktion.
SODIMM DDR4 3200 16GB (-40-85) Hynix 30u” Goldener Kontakt. Weiter Temperaturbereich: -40°C~85°C. Tier-1 Originalchip verwendet. Lebenslange Garantie. DRAM-Software-Überwachung.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip übernommen. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Server-Plattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Anschluss. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600/6400 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (-20-85) SAM-C Originaler IC-Chip übernommen. 30u” Goldkontakt. Erweiterter Temperaturbereich: -20°C~85°C. Unterstützung für DRAM-Überwachungssoftware. Lebenslange Garantie.
SODIMM DDR4 320016GB 1024x8 (-20-85) SAM-G Originaler IC-Chip verwendet. 30u“ Goldkontakte. Erweiterter Temperaturbereich: -20°C bis 85°C. Unterstützung eines DRAM-Überwachungssoftware-Tools. Lebenslange Garantie.
RDIMM D4 3200 8GB (0-85) Hynix 1Gbx8 100% Screening-Test.Kompatibel mit Serverplattformen.Originaler IC-Chip verwendet.30u” vergoldeter Kontakt.
SODIMM DDR4 3200 8GB 1024x8 (-20-85) SAM-G Originaler IC-Chip verwendet. 30u” Goldkontakt. Erweiterter Temperaturbereich: -20°C~85°C. Unterstützung für DRAM-Überwachungssoftware. Lebenslange Garantie.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierter unabhängiger Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
SODIMM DDR5 5600 48GB 3Gx8 Micron Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM DDR5 5600 64GB 4Gx4 Hynix Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 16/32/64/128GB. 100% Screening-Test. Kompatibel mit Server-Plattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” Goldkontakt. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
RDIMM D4 3200 32GB (0-85) Hynix 2Gbx8 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattformen. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt.
RDIMM D4 3200 16GB (0-85) Hynix 1Gbx8 100% Screening-Test. Kompatibel mit Serverplattform. Originaler IC-Chip verwendet. 30u” vergoldeter Kontakt.
SODIMM DDR4 3200 Semi 16GB 1Gx8 (0-85) SAM Original Samsung/Micron IC-Chips angepasst. Datenübertragungsrate: 3200/2666MT/s. Kapazität: 2/4/8/16/32GB. Betriebstemperatur: 0 °C ~ 85 °C. 3 Jahre Langlebigkeit, Fixierte BOM, Lebenslange Garantie.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800/5600 MT/s. Kapazität: 8/16/24/32/48GB. Original Samsung/Micron IC verwendet. Unterstützung der On-Die ECC-Funktion. Integrierte unabhängige Power Management IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C.
ECC UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Samsung Datenübertragungsrate: 4800 MT/s. Kapazität: 16GB/32GB. Original Samsung IC verwendet. Unterstützung der ECC-Funktion. Integrierter unabhängiger Power-Management-IC. Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C.
