Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip
Originální čip Hynix.
Zvýšené banky a délka série.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovení ve stejné bance.
ECC na desce pro vylepšené RAS.
SG AV 8TB 3,5" 7KRPM SATAIII 256MB
Nepřetržitý provoz 24x7.
Firmware ImagePerfect.
Řízení nízké spotřeby energie.
Vysoké pracovní zatížení až 180 TB ročně.
Podpora programu S.M.A.R.T.
WD AV 6TB 3,5" 5KRPM SATA3 256MB
Navrženo pro běžné dohledové systémy.
Více kamer, více streamů.
Široká kompatibilita. bezproblémová integrace.
Zvýšené hodnocení pracovní zátěže.
Podpora programu S.M.A.R.T.
WD AV 4TB 3,5" 5KRPM SATA3 256MB
Navrženo pro běžné dohledové systémy.
Více kamer, více streamů.
Široká kompatibilita. bezproblémová integrace.
Zvýšené hodnocení pracovní zátěže.
Podpora programu S.M.A.R.T.
SG AV 4TB 3,5"" 5KRPM SATA3 256MB
Nepřetržitý provoz 24x7.
Firmware ImagePerfect.
Řízení nízké spotřeby energie.
Vysoké pracovní zatížení až 180 TB ročně.
Podpora programu S.M.A.R.T.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip
Originální čip Hynix.
Zvýšené banky a délka série.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovení ve stejné bance.
ECC na desce pro vylepšené RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip
Originální čip Hynix.
Zvýšené banky a délka série.
DDR5 5,6GT/s.
Obnovení ve stejné bance.
ECC na desce pro vylepšené RAS.
32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM
Originální čip Samsung.
Dva 32bitové subkanály.
Zvýšené banky a délka série.
DDR5 4,8GT/s.
Obnovení ve stejné bance.
ECC na desce pro vylepšené RAS.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1V SAM
Originální čip Samsung.
Dva 32bitové subkanály.
Zvýšené banky a délka série.
DDR5 4,8GT/s.
Obnovení ve stejné bance.
ECC na desce pro vylepšené RAS.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM
DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC.
30μ " tloušťka pozlacení.
Rezistor proti sulfataci.
Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM.
Podpora detekce a opravy chyb ECC.
100% testování stability, kompatibility a výkonu.
Originální čip Samsung.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM
DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC.
30μ " tloušťka pozlacení.
Rezistor proti sulfataci.
Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM.
Podpora detekce a opravy chyb ECC.
100% testování stability, kompatibility a výkonu.
Originální čip Samsung.