Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.
WD Enterprise 3,5" 1 TB 7RPM SATAIII 128 1TB úložiště. Navrženo pro spolehlivost 24x7. 7K RPM 128 MB vyrovnávací paměti. Podporovaný RAID & 24X7. Rozhraní SATA. 5letá omezená záruka.
8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Čip Samsung.
SG Enterprise 3,5"4TB 7KRPM SATA 256MB 3,5" rozhraní SATA. Otáčky vřetena 7200 ot/min. Vysoká rychlost okamžitého (burst) přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Nejmodernější algoritmy pro vyrovnávací paměť a opravu chyb za běhu. Podpora pro sledování a vykazování jednotky S.M.A.R.T.
8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registered. 240-Pin. 512MX8. Čip Samsung.
WD PURP 1TB 3,5" 5KRPM SATA3 64MB 1TB úložiště. Navrženo pro spolehlivost 24x7. 5K RPM 64MB Cache. Ideální pro NVR / DVR / PVR / IPTV. Rozhraní SATA. 3letá omezená záruka.
SG Enterprise 3,5" 6TB 7KRPM SAS12 256 MB Pevný disk podnikové úrovně. Aplikace HPC. Provoz 24X7. Firmware lze stáhnout pomocí rozhraní SAS. Úložiště RAID.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originální čip Hynix. Zvýšené banky a délka série. DDR5 5,6GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.
32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.
32G ECC-SODDR4 3200 1,2V 2GbX8 SAM 32 GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka pozlacení 30u". Odolnost proti odsíření. ECC.
16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1V SAM Originální čip Samsung. Dva 32bitové subkanály. Zvýšené banky a délka série. DDR5 4,8GT/s. Obnovení ve stejné bance. ECC na desce pro vylepšené RAS.
SG Enterprise 3,5"6TB 7KRPM SATA 256MB 3,5" rozhraní SATA. Otáčky vřetena 7200 ot/min. Vysoká rychlost okamžitého (burst) přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Nejmodernější algoritmy pro vyrovnávací paměť a opravu chyb za běhu. Podpora pro sledování a vykazování jednotky S.M.A.R.T.
SG ENT 3,5" SATA3 20TB 7KRPM 256MB 3,5" rozhraní SATA. Rychlost vřetena 7200 otáček za minutu. Vysoká rychlost okamžitého (burst) přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Nejmodernější algoritmy pro vyrovnávací paměť a opravu chyb za běhu. Podpora pro sledování a vykazování jednotky S.M.A.R.T.
SG ENT 3,5" SATA3 18TB 7KRPM 256MB 3,5" rozhraní SATA. Rychlost vřetena 7200 otáček za minutu. Vysoká rychlost okamžitého (burst) přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Nejmodernější algoritmy pro vyrovnávací paměť a opravu chyb za běhu. Podpora pro sledování a vykazování jednotky S.M.A.R.T.
SG ENT 3,5" SATA3 10TB 7KRPM 256MB 3,5" rozhraní SATA. Rychlost vřetena 7200 otáček za minutu. Vysoká rychlost okamžitého (burst) přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Nejmodernější algoritmy pro vyrovnávací paměť a opravu chyb za běhu. Podpora pro sledování a vykazování jednotky S.M.A.R.T.
SG Enterprise 3,5"8TB 7KRPM SATA 256MB 3,5" rozhraní SATA. Otáčky vřetena 7200 ot/min. Vysoká rychlost okamžitého (burst) přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Nejmodernější algoritmy pro vyrovnávací paměť a opravu chyb za běhu. Podpora pro sledování a vykazování jednotky S.M.A.R.T.
SG Enterprise 3,5"2TB 7KRPM SATA 256MB 3,5" rozhraní SATA. Rychlost vřetena 7200 otáček za minutu. Vysoká rychlost okamžitého (burst) přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Nejmodernější algoritmy pro vyrovnávací paměť a opravu chyb za běhu. Podpora pro sledování a vykazování jednotky S.M.A.R.T.
SG Enterprise 3,5" 2TB 7KRPM SAS12 256 MB Pevný disk podnikové úrovně. Aplikace HPC. Provoz 24X7. Firmware lze stáhnout pomocí rozhraní SAS. Úložiště RAID.
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Samsung.
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.
