16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
8GB SO-DDR5-4800 1GX16 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V ungepuffert Hynix Chip Hynix Original-Chip. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V ungepuffert Hynix Chip Hynix Original-Chip. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V ungepuffert Hynix Chip Hynix Original-Chip. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 5.6GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Zwei 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bänke und Burst-Länge. DDR5 4.8GT/s. Same-Bank-Auffrischung. On-die ECC für erweiterten RAS.
