Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2Gx8 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Original Samsung Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-Die ECC für verbesserte RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
16GB ECC DDR5-5600 2GX8 1,1V SAM SAM Original-Chip. Antisulfatierung. PCB: 30μ Goldfinger. Integrierter unabhängiger Power-Management-IC. Unterstützung der ECC-Funktion.
32GB ECC DDR5-5600 2GX8 1.1V SAM SAM Originalchip. Anti-Sulfuration. Leiterplatte: 30μ Goldkontakte. Integrierte unabhängige Stromverwaltungs-IC. Unterstützung der ECC-Funktion.
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Hynix Originalchip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Hynix Originalchip.Erhöhte Banks und Burst-Länge.DDR5 5,6GT/s.Same-Bank-Refresh.On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 1GX16 1.1V Ungepuffert Hynix Chip Original Hynix Chip. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 5,6GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Samsung Originalchip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-Die ECC für verbesserten RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Original Samsung Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankenanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.