Aktívne filtre
RDIMM D4 3200 32GB (0-85) SAM 2Gbx4 100% skríningový test. Kompatibilita so serverovou platformou. Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger.
RDIMM D4 3200 64GB (0-85) SAM 4Gx4 100% skríningový test. Kompatibilita so serverovou platformou. Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger.
RDIMM D4 3200 128 GB (0-85) SAM 8Gx4 100% skríningový test. Kompatibilita so serverovou platformou. Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger.
UDIMM DDR3L 1600 8GB Micron 512X8 (0-85) Originálna pamäť IC spoločnosti Samsung. Pevná BOM. 3-ročná životnosť a doživotná záruka. prejsť prísnym testovacím programom. Podpora inteligentného monitorovania (SQR Manager).
UDIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 8GB 1Gx16 (0-95) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita : 8GB/16GB/32GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 95 °C.
UDIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
UDIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Samsung Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
SODIMM DDR5 4800 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Rýchlosť prenosu údajov: 4800 MT/s. Kapacita: 16 GB/32 GB. Pôvodný integrovaný obvod Micron/Samsung. Podpora funkcie ECC na doske. Zabudovaný integrovaný obvod pre nezávislé riadenie napájania. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C.
(DEL12)SQRAM 4G 240P DDR3-1333 I-GRD SA Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. Pozlátenie na zlatom prste PCB je 30u". Napájanie podľa štandardu JEDEC 1,5 V ± 0,075 V. Maximálna frekvencia hodín: 667 MHz; 1333 Mb/s/Pin. Zistená sériová prítomnosť s 2048-bitovou pamäťou EEPROM.
(DEL12)SQRAM 2G 240P DDR3-1333 I-GRD SA Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. Pozlátenie na zlatom prste PCB je 30u". Napájanie podľa štandardu JEDEC 1,5 V ± 0,075 V. Maximálna frekvencia hodín: 667 MHz; 1333 Mb/s/Pin. Zistená sériová prítomnosť s 2048-bitovou pamäťou EEPROM.
SQRAM 1G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM-G 30u" Golden Finger. Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. 100% skríningový test. Pôvodný dodávateľ čipu prijatý. EEPROM s tepelným senzorom. Test zapálenia.
SQRAM 2G SO-DDR2-667 128x8 I-GRD SAM-F Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. Pozlátenie na zlatom prste PCB je 30 u". Štandard JEDEC 1,8 V ± 0,1 V Napájanie. Maximálna frekvencia hodín: 333 MHZ; 667 Mb/s/Pin. Zistená sériová prítomnosť s 2048-bitovou pamäťou EEPROM.
SQRAM 1G SO-DDR2-667 128x8 I-GRD SAM-F Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. Pozlátenie na zlatom prste PCB je 30 u". Štandard JEDEC 1,8 V ± 0,1 V Napájanie. Maximálna frekvencia hodín: 333 MHZ; 667 Mb/s/Pin. Zistená sériová prítomnosť s 2048-bitovou pamäťou EEPROM.
260pin ECC SODIMM-D4-2666 32G SAM 2Gbx8 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 4/8/16/32 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix). Široká teplotná podpora -40oC ~ 85oC. Podpora funkcie ECC.
Odolný modul ECC SODIMM DDR4 2666 32GB SAM 2Gx8 , -40-85C Robustná doska plošných spojov navrhnutá s montážnym otvorom s vojenským overením MIL-810G. Extrémna rýchlosť prenosu dát až do 3200 MT/s. Kapacita: až 32 GB. Podporovaná široká teplota: -40 °C ~ 85 °C. Originálny čip IC (Samsung/Hynix).
SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) Micron Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (0-85) Micro Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
SODIMM DDR4 3200 32GB 2Gx8 (0-85) Micron Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
SODIMM DDR4 3200 16GB 2Gx8 (0-85) Micron Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
MODUL PAMÄTE, 240pin UDIMM ECC D3 1600 8G 512x8 SAM E DIE Originálne pamäťové čipy (Samsun/Hynix). Podpora funkcie ECC. Pevná BOM. Široká podpora teplôt (-40 ~ 85oc). .
SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx16 (0-85) Micron Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
ECC SODIMM DDR4 2666 8GB 1GX8 (0-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 4/8/16/32 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix). Široká teplotná podpora -40oC ~ 85oC. Podpora funkcie ECC.
ECC SODIMM DDR4 2666 8GB 1Gx8 (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 4/8/16/32 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix). Široká teplotná podpora -40oC ~ 85oC. Podpora funkcie ECC.
ECC SODIMM DDR4 2666 16GB 1Gx8 (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2666/3200 MT/s. Kapacita: 4/8/16/32 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix). Široká teplotná podpora -40oC ~ 85oC. Podpora funkcie ECC.
SQRAM 8G SO-DDR3-1600 NÍZKONAPÄŤOVÝ I-GRD 30u" Golden Finger. Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. 100% skríningový test. Pôvodný dodávateľ čipu prijatý. EEPROM s tepelným senzorom. Test zapálenia.
SODIMM DDR3L 1600 4GB 256X16, ISSI-C(-40 30u" Golden Finger. Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. 100% skríningový test. Pôvodný dodávateľ čipu prijatý. EEPROM s tepelným senzorom. Test zapálenia.
SQRAM 4G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM 30u" Golden Finger. Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. 100% skríningový test. Pôvodný dodávateľ čipu prijatý. EEPROM s tepelným senzorom. Test zapálenia.
RDIMM DDR4 2666 4GB w/ECC 512x8 SAM 0-85 100% skríningový test. Kompatibilita so serverovou platformou. Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger.
RDIMM D4-3200 32GB HYNIX 2Gx4, 0-85 100% skríningový test. Kompatibilita so serverovou platformou. Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger.
SODIMM(ECC) DDR4 2133 16GB (-40-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2 GB ~ 16 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkcie ECC. Široký teplotný rozsah -40oC ~ 85oC.
ECC SO D4 2400 16GB (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2 GB ~ 16 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkcie ECC. Široký teplotný rozsah -40oC ~ 85oC.
SODIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2 GB ~ 16 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkcie ECC. Široký teplotný rozsah -40oC ~ 85oC.
UDIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) S Pevná BOM/pevná matrica. 30u" Golden Finger. Prijatý originálny čip prvej úrovne. EEPROM s tepelným senzorom. 100% test obrazovky. Test zapálenia.
RDIMM D4 2400 16GB (0-85) SAM 1Gx8 100% skríningový test. Kompatibilita so serverovou platformou. Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger.
RDIMM D4 2666 16GB (0-85) SAM-C 1Gbx8 100% skríningový test. Kompatibilita so serverovou platformou. Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger.
Odolný modul SODIMM DDR4 2666 16GB Hynix 1Gx8, 0-85C Robustná doska plošných spojov navrhnutá s montážnym otvorom s vojenským overením MIL-810G. Extrémna rýchlosť prenosu dát až do 3200 MT/s. Kapacita: až 32 GB. Podporovaná široká teplota: -40 °C ~ 85 °C. Originálny čip IC (Samsung/Hynix).
SODIMM DDR4 2133 16GB 1Gbx8 (-40-85C) 30u" Golden Finger. Široký teplotný rozsah: -40oC ~ 85oC. Prvý stupeň originálneho čipu prijať. Pevná BOM a doživotná záruka. Monitorovanie softvéru DRAM.
SODIMM DDR4 2133 16GB 1Gbx8 (-20-85C) Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger. Rozšírená teplota: -20C ~ 85C. Podpora softvérového nástroja Monitor DRAM. Doživotná záruka.
SODIMM DDR4 2400 16GB 1Gbx8 (-20-85C) Prijatý pôvodný čip IC. 30u" Golden Finger. Rozšírená teplota: -20C ~ 85C. Podpora softvérového nástroja Monitor DRAM. Doživotná záruka.
SODIMM DDR4 2400 16GB 1Gbx8 (0-85C) Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
SODIMM DDR4 2666 32GB 2Gbx8 (0-85C) Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
SQRAM 2G SO-DDR3-1333 I-GRD SAM 30u" Golden Finger. Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. 100% skríningový test. Pôvodný dodávateľ čipu prijatý. EEPROM s tepelným senzorom. Test zapálenia.
SODIMM DDR3L 1333 2GB 256x8 SAM-F(-40-8 30u" Golden Finger. Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. 100% skríningový test. Pôvodný dodávateľ čipu prijatý. EEPROM s tepelným senzorom. Test zapálenia.
SODIMM DDR3L 1600 2GB I-Grade(-40-85) 30u" Golden Finger. Prevádzková teplota: -40° C až +85° C. 100% skríningový test. Pôvodný dodávateľ čipu prijatý. EEPROM s tepelným senzorom. Test zapálenia.
SODIMM DDR3L 1866 4GB Micron 256x16 0-85 Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 1600MHz. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C/ široká teplota -40 °C ~ 85 °C. 30u" zlatý prst a pevný BOM. Bezplatný inteligentný softvér monitoruje informácie DRAM v reálnom čase.
260pin ECC SO-D4-2666 32G 2Gbx8, -40-85 260pin SODIMM ECC DIMM. Rýchlosť prenosu dát: 2133/2400/2666 MT/s Kapacita: 2 GB ~ 16 GB. Originálny čip IC (Samsung/Hynix) . Podpora funkcie ECC. Široký teplotný rozsah -40oC ~ 85oC.
SODIMM DDR4 2666 32G SAM 2Gbx8 (-40-85C) 30u" Golden Finger. Široký teplotný rozsah: -40oC ~ 85oC. Prvý stupeň originálneho čipu prijať. Pevná BOM a doživotná záruka. Monitorovanie softvéru DRAM.
SODIMM DDR4 2400 8GB 1Gbx8 (-40-85C) 30u" Golden Finger. Široký teplotný rozsah: -40oC ~ 85oC. Prvý stupeň originálneho čipu prijať. Pevná BOM a doživotná záruka. Monitorovanie softvéru DRAM.
SODIMM DDR4 2400 8GB 1Gbx8 (0-85C) Upravené pôvodné čipy IC Samsung/Micron. Rýchlosť prenosu dát: 3200/2666/2400 MT/s. Kapacita: 2/4/8/16/32 GB. Prevádzková teplota: 0 °C ~ 85 °C. 3-ročná životnosť, pevná BOM, doživotná záruka.
