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16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz sans tampon SO-DIMM. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Profil très bas. Température élevée. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Puce originale Samsung. Température étendue. De -40C à +85C. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DIMM enregistrée DDR4-2400. Profil très bas. Température élevée. 30μ" ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.
