Module de mémoire DRAM

Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Enregistré. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. ECC.

16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

8G DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Hynix.