Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 registrované ECC DIMM. Spotreba energie 1,2V. Podporuje ECC detekciu a opravu chýb. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetické automatické samostatné obnovenie (LPASR).

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Čip DRAM od Micron. DDR4. Registrovaný DIMM. Zlaté kontakty na okraji. 64GB.

Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 registrované ECC DIMM.Spotreba energie 1,2V.Podporuje detekciu a korekciu chýb ECC.Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu.Nízka spotreba pri automatickom samoobnovení (LPASR).

Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registrovaný ECC DIMM. Spotreba energie 1,2V. Podpora ECC detekcie a opravy chýb. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetická automatická samostatná obnova (LPASR).

15,6" Mildex CTP STANDARD, GG w/EETI-80H Konštrukcia od okraja k okraju. Nakonfigurovaný modul dotykového panela. Prispôsobený dizajn krycieho skla. Zlepšenie materiálu pre vonkajšie riešenie (voliteľné). Riešenia IC s vysokým pomerom signálu a šumu (S/NR). Podpora funkcie dotyku 10 prstov.

12,1" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-80 Konštrukcia od okraja k okraju. Nakonfigurovaný modul dotykového panela. Prispôsobený dizajn krycieho skla. Zlepšenie materiálu pre vonkajšie riešenie (voliteľné). Riešenia IC s vysokým pomerom signálu a šumu (S/NR). Podpora funkcie dotyku 10 prstov.

XEON 2.3G 36M 3647P 24C Gold 6252N Intel Xeon Silver 6252N. 2,3 GHz. 36 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA3647.

Mircon Crucial MX500 TLC SSD SATA3 2.5" 500G Pôvodný čip Micron s 5-ročnou obmedzenou zárukou. Podpora S.M.A.R.T., TRIM a NCQ na udržanie zdravého a efektívneho SSD. Zabudovaný algoritmus na vyrovnávanie opotrebenia zaručuje vysokú spoľahlivosť pri prenose dát. Úložná kapacita až do 4TB dát.

SG Enterprise 3.5"4TB 7KRPM SATA 256MB 3.5" SATA rozhranie. Rýchlosť otáčania vretena 7200 RPM. Vysoké okamžité (burst) rýchlosti prenosu dát (až do 600 MB za sekundu). Najmodernejšia vyrovnávacia pamäť a algoritmy na opravu chýb v reálnom čase. Podpora pre S.M.A.R.T. monitorovanie a hlásenie disku.

Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1,2V DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Hrúbka zlata 30u" na pozlátení. Odolnosť proti sírovaniu. Pôvodný čip Samsung. Široký teplotný rozsah -40°C až +85°C. 100% testované na stabilitu, kompatibilitu a výkon.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung čip.

8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti sulfidácii. ECC.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

8G R-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná. 240-pinová. 512MX8. Samsung čip.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Čip Hynix.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-pinový. 512MX8. Samsung čip.

HLDS Ultra Slim DVR 8X SATA Blu-Ray Čierny Interná ultra tenká BD/DVD zapisovacia mechanika s výškou 9,5 mm.Zodpovedá rozhraniu Serial ATA.Veľká vyrovnávacia pamäť 4 MB.Podpora zápisu/čítania M-Disc DVD a BD (Štúdie vykonané U.S Naval Air Warfare Center Weapons Division).Podpora BDXL (100GB trojvrstvový) disk.

1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-pinový. 64Mx8. Čip Micron.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200-pinový. 64MBX8. Promos čip.

CREMAX M-RACK SATA 5.25"X2 NA 3HDD ČIERNA Pojme 3 x 3.5"/2.5" SATA SSD/HDD v dvoch 5.25" pozíciách pre disky.Kovové telo s čiastočným plastom.Automatická vysúvacia rukoväť na vyťahovanie a zasúvanie.Podpora až do SATA 6 Gb/s a hot swap.

CREMAX M-RACK 5.25" 4X2.5" SAS/ST BLK(G) Výstup: 5.25". Vstup: 4* 2.5" HDD/SSD. Dĺžka: 2* 4cm ventilátor. PCIE držiak: Čierny. Kompatibilné zariadenia: Zelená: Napájanie zariadenia. Jantárová: Aktivita disku.

WD IPC 2.5 2TB 5KRPM 7MM SATAIII 128MB Kapacita 2 TB. Odporúča sa pre určité priemyselné aplikácie. 7,5 & quot; 7 mm výška. Aplikácia 8X5.

SG AV 2.5" 2TB SATAIII 5K 128MB Zaťaženie až do 180 TB za rok.Spoľahlivý výkon v systémoch s intenzívnym zapisovaním na monitorovanie.Nonstop prevádzka 24/7.

(DEL22)PENTIUM 3.2G 3M 1150P G3420 Intel Pentium G3420. 3,2 GHz. 3 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

WD AV 3TB 3,5" 5KRPM SATAIII 64MB 4K 3 TB úložisko. Navrhnuté pre spoľahlivosť 24x7. 5K RPM 64MB vyrovnávacia pamäť. Ideálne pre NVR / DVR / PVR / IPTV. Rozhranie SATA. 3-ročná obmedzená záruka.

WD Enterprise 3.5" 1 TB 7RPM SATAIII 128MB Kapacita úložiska 1TB. Navrhnutý pre spoľahlivosť 24x7. 7K RPM s 128MB vyrovnávacou pamäťou. Podpora RAID & prevádzka 24X7. SATA rozhranie. Obmedzená záruka 5 rokov.

Toshiba 3,5" SATA3 1TB 7200 128MB Veľká kapacita (až 14 TB) v štandardnom 3,5-palcovom formáte. Navrhnuté pre pracovné zaťaženie 24 × 7 až do 550 TB prenesených ročne. 512 Technológia natívneho sektora. Najnovšia vibračná technológia. Možnosť okamžitého vymazania (SIE).

ATP 8G MICRO SD KARTA I-GRD SLC(G) Podporuje SD mód, SPI mód. Vysoká spoľahlivosť, prevádzka pri -40~ 85°C. SLC NAND flash pamäť. Vodotesná, prachotesná a odolná voči ESD. Vylepšená podpora cyklov napájania.

SSSTC SEMI-WT SSD 512GB 2280 SATA3 Tos KIOXIA 3D TLC. SATAIII. PODPORA ZAPNUTÝCH ZARIADENÍ. PODPORA POLO-WI (-25 ℃ ~ 85 ℃). VÝKON AŽ 550 MB. OPTIMALIZOVANÉ PRE IPC A OKRAJOVÉ ÚLOŽISKO.

SSSTC SEMI-WT SSD 512GB 2,5" SATA3 Tos KIOXIA 3D TLC. SATAIII. PODPORA ZAPNUTÝCH ZARIADENÍ. PODPORA POLO-WI (-25 ℃ ~ 85 ℃). VÝKON AŽ 550 MB. OPTIMALIZOVANÉ PRE IPC A OKRAJOVÉ ÚLOŽISKO.

4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registrovaný DIMM. Veľmi nízky profil. Široký teplotný rozsah. Hrúbka zlata 30μ". Spotreba energie 1,2V. Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a servisovateľnosť (RAS) a zlepšuje integritu dát.

Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.

CORE 2.4G 4M 1150P 2CORE I3-4330TE Intel i3-4330TE 4. generácie. 2,4 GHz. 4 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

CORE 2.6G 4M 1150P 2CORE I3-4340TE Intel i3-4340TE 4. generácie. 2,6 GHz. 4 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

JADRO 3.1G 4M 1150P 2CORE I3-4350T Intel i3-4350T 4. generácie. 3,1 GHz. 4 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

JADRO 3,5G 4M 1150P 2CORE I3-4330 Intel i3-4330 4. generácie. 3,5 GHz. 4 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

JADRO 3.7G 4M 1150P 2CORE I3-4360 Intel i3-4360 4. generácie. 3,7 GHz. 4 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

CORE 3.1G 6M 1151P 4JADRO I3-8100T Intel Core i3-8100T. 3.1 GHz. 6 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA1151.

CORE I3 2.3G 6M 1200P 4C I3-10100TE Intel Core i3-10100TE. 2,3 GHz. 6 MB vyrovnávacej pamäte. FCLGA1200.

CORE I3 3,2G 6M 1200P 4C I3-10100E Intel Core i3-10100E. 3,2 GHz. 6 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA1200.

CORE 2.2G 6M 1151P 4C I3-9100TE Intel Core i3-9100TE. 2,2 GHz. 6 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA1151.

CORE 3.4G 3M 1151P 2CORE I3-7101TE Intel Core i3-7101TE. 3.4 GHz. 3 MB vyrovnávacia pamäť (Cache). LGA1151.

CORE 3.9G 3M 1151P 2JADRO I3-7101E Intel Core i3-7101E. 3,9 GHz. 3 MB Cache. LGA1151.

CORE 2.7G 4M 1151P 2 CORE I3-6100TE Intel 6. generácia Core i3-6100TE. 2,7 GHz. 4 MB vyrovnávacia pamäť. LGA1151.

CORE 3.7G 3M 1151P 2 JADRO I3-6100 Intel 6. generácia Core i3-6100. 3,7 GHz. 3 MB vyrovnávacia pamäť. LGA1151.

CORE 2.0G 6M 1150P 4CORE I5-4590T Intel Core i5-4590T 4. generácie. Do 3,0 GHz. 6 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

CORE 2.7G 4M 1150P 2 CORE I5-4570TE Intel Core i5-4570TE 4. generácie. Do 3,3 GHz. 4 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1155.

CORE 2.9G 6M 1150P 4 CORE I5-4570S Intel Core i5-4570S 4. generácie. Do 3,6 GHz. 6 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

CORE 3.0G 6M 1150P 4CORE i5-4590S Intel Core i5-4590S 4. generácie. Do 3,7 GHz. 6 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

CORE 2.1G 9M 1151P 6JADRO i5-8500T Intel Core i5-8500T. 2,1 GHz. 9 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA1151.

CORE 2.7G 6M 1151P 4JADROVÝ I5-7500T Intel 7. generácia Core i5-7500T. 2,7 GHz. 6 MB vyrovnávacia pamäť. LGA1151.

CORE 3,4G 6M 1151P 4JADRO I5-7500 Intel 7. generácie Core i5-7500. 3,4 GHz. 6 MB vyrovnávacia pamäť. LGA1151.

CORE 2.3G 6M 1151P 4 CORE I5-6500TE Intel 6. generácia Core i5-6500TE. Až do 3,3 GHz. 6 MB vyrovnávacia pamäť. LGA1151.

CORE 3.2G 6M 1151P 4 JADRO I5-6500 Intel 6. generácia Core i5-6500. Až do 3,6 GHz. 6 MB vyrovnávacia pamäť. LGA1151.

(DEL18)CORE 3.4G 8M 1155P 4CORE I7-2600 Intel Core i7-2600 2. generácie. Do 3,8 GHz. 8 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1155.

Xeon 3,2G 8M 1150P 4CORE E3-1225 v3 Intel Xeon E3-1225 v3. 3,2 GHz. 8 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

XEON 2.4G 12M 1200P 6C W-1250TE Intel Xeon W-1250TE. 2,4 GHz. 12 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA1200.

XEON 3.5G 12M 1200P 6C W-1250E Intel Xeon W-1250E. 3,5 GHz. 12 MB cache pamäť. FCLGA1200.

XEON 3.4G 12M 1151P 6C E-2226GE Intel Xeon E-2226GE. 3,4 GHz. 12 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA1151.

XEON 3.3G 8M 1151P 4 JADRO E3-1225V5 Intel Xeon E3-1225 v5. 3.3 GHz. 8 MB vyrovnávacia pamäť. LGA1151.

15,0" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-8 Konštrukcia od okraja k okraju. Nakonfigurovaný modul dotykového panela. Prispôsobený dizajn krycieho skla. Zlepšenie materiálu pre vonkajšie riešenie (voliteľné). Riešenia IC s vysokým pomerom signálu a šumu (S/NR). Podpora funkcie dotyku 10 prstov.

18,5" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-8 Konštrukcia od okraja k okraju. Nakonfigurovaný modul dotykového panela. Prispôsobený dizajn krycieho skla. Zlepšenie materiálu pre vonkajšie riešenie (voliteľné). Riešenia IC s vysokým pomerom signálu a šumu (S/NR). Podpora funkcie dotyku 10 prstov.

21,6" Mildex CTP ŠTANDARD, GG s EETI-80H84 COF Dizajn od okraja po okraj. Konfigurovaný dotykový panelový modul. Prispôsobený dizajn krycieho skla. Vylepšený materiál pre vonkajšie riešenia (voliteľné). Vysoký pomer signálu a šumu (S/NR) riešenia IC. Podpora dotykovej funkcie pre 10 prstov.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka zlatenia 30u". Odolnosť proti sulfidácii. ECC.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.

16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Hynix.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti síraniu. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.

(DEL23)GT730 2G PCIEX16 DVI+HDMI+VGA Low Prof. Grafický procesor NVIDIA GeForce® GT730.DVI-D, HDMI a VGA.Veľkosť pamäte 2 GB.Nízky profil.

SG IPC 5TB 2.5" 5KRPM SATA3 128MB 5 TB úložisko. 5K RPM, 128 MB vyrovnávacia pamäť. Ideálne pre všeobecné účely ukladania dát. SATA rozhranie. 3 ročná záruka.

SG Enterprise 2.5" 1.2TB 10KRPM SAS 12Gb/s 1,2TB úložisko. 10K RPM, 256MB vyrovnávacia pamäť. Podpora RAID & nepretržitá prevádzka 24x7. SAS 12Gb/s rozhranie. 5-ročná obmedzená záruka.

SG Enterprise 2,5" 1TB 7KRPM SATA 128 MB 1 TB úložisko. 7K RPM 128 MB vyrovnávacej pamäte. Podporovaný nájazd & 24X7. Rozhranie SATA. 5-ročná obmedzená záruka.

SG Ent 2,5" 2TB 7KRPM SATA 128MB 512E 2 TB úložisko. 7K RPM 128 MB vyrovnávacej pamäte. Podporovaný nájazd & 24X7. Rozhranie SATA. 5-ročná obmedzená záruka.

SG Enterprise 2.5" 600GB 10KRPM SAS 12Gb/s 256MB 600GB Úložisko.10K RPM 256MB Vyrovnávacia pamäť.Podpora RAID & 24/7 prevádzka.SAS 12Gb/s Rozhranie.5-ročná obmedzená záruka.

RAIDON SATA3 RAID0/1 2.5"HDDX2 ČIERNA Pojme 2 x 2.5" SATA SSD/HDD v jednom 5.25" pozícii pre disk. Podporuje RAID 0/1. Čitateľný LCD displej a LED indikátory. Podpora až do SATA 6Gb/s. Podpora hot swap a automatické obnovenie.

ADAPTEC 8405E SAS 4P 12GB/S 512M PCIEX8 RAID 0, 1, 10. 4 porty (4 interné). Kompatibilita s rýchlosťou 12Gbps pre SA/SATA HDD alebo SSD zariadenia. Funkcionalita RAID adaptéra v zmiešanom režime a vyrovnávacej pamäte HBA.

SOFTVÉR, WIN 10 PRO 64BIT ENG 1PK CD INTL. Zabezpečenie podnikovej kvality pre malé a stredné podniky. Rýchle spúšťanie a odozva. Jednoduché nastavenie a správa. Možnosť pripojenia k službe Azure Active Directory s jednotným prihlásením k aplikáciám hosťovaným v cloude3. Obsahuje produktový kľúč a DVD.

TR 128GB 2.5" SSD SATAIII MLC -40~90°C 2.5". MLC. SATA III. 128GB.

SSSTC SEMI-WT SSD 1TB 2,5" SATA3 Tos 96 KIOXIA 3D TLC. SATAIII. PODPORA ZAPNUTÝCH ZARIADENÍ. PODPORA POLO-WI (-25 ℃ ~ 85 ℃). VÝKON AŽ 550 MB. OPTIMALIZOVANÉ PRE IPC A OKRAJOVÉ ÚLOŽISKO.

TR 256GB 2,5" SSD SATAIII MLC -10~80°C 2.5". MLC. SATA III. 256 GB.

INTEL CELERON 2.2G 2MB 1150P G1820TE Intel Celeron G1820TE. 2,2 GHz. 2 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

INTEL CELERON 2.7G 2MB 1150P G1820 Intel Celeron G1820. 2,7 GHz. 2 MB vyrovnávacej pamäte. LGA1150.

CELERON 2.9G 2M 1151P G4900T Intel Celeron G4900T. 2.9 GHz. 2 MB vyrovnávacia pamäť. FCLGA1151.

CELERON 3.1G 2M 1151P G4900 Intel Celeron G4900. 3,1 GHz. 2 MB vyrovnávacej pamäte. FCLGA1151.