(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Čip DRAM společnosti Samsung. Specifikace DDR4. Nevyrovnaný modul DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". 4 GB.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.

8G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400 SO-DIMM. 200-pinový. 64MX8. Promočip.

DDR2 800 SODIMM 1GB 128x8 Nanya Čip Nanya DRAM. DDR3. So-DIMM. Bez vyrovnávací paměti. 1 GB.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1,5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-pinový. 128MX8. Čip Samsung.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM Paměť DDR3 1600Mhz bez vyrovnávací paměti SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,35 V. Originální čip Samsung.

4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-pinový. 512Mx8. Čip Samsung.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.

Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1,35V Nepufferováno Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 256MX8. Samsung Čip.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Čip DRAM společnosti Samsung. Specifikace DDR4. Nevyrovnaný modul DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". 4 GB.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Rychlost 3200MHz. 30u" tloušťka zlacení. Odolnost proti sírování. ECC.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ". Spotřeba energie 1,2 V. Originální čip Samsung.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.