* Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen (Datenblatt).
Geschäftsbedingungen
| SQRAM | Betriebstemperatur | -40 ~ 85 °C |
| Taktfrequenz | 3200 MHz | |
| Kapazität | 16 GB | |
| Spannung | 1,2 V +/- 0,06 V | |
| Pins/DIMM | 260-Pin SODIMM | |
| Goldbeschichtung auf der Leiterplatte | 30 µ” | |
| Abmessungen (mm) | 69,6 x 30 | |
| Kategorie | DDR4 | |
| ECC/Register | ECC |
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260pin ECC SO-D4-2666 32G 2Gbx8, -40-85 260pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2133/2400/2666 MT/s Kapazität: 2GB~16GB. Original IC-Chip (Samsung/Hynix) . Unterstützung von ECC-Funktionen. Breiter Temperaturbereich von -40oC bis 85oC.
UDIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) S Feste Stückliste/ Feste Form. 30u" Goldener Finger. Stufe eins Originalchip angenommen. EEPROM mit Wärmefühler. 100% Bildschirmtest. Burn-In Test.
SODIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2133/2400/2666 MT/s Kapazität: 2GB~16GB. Original IC-Chip (Samsung/Hynix) . Unterstützung von ECC-Funktionen. Breiter Temperaturbereich von -40oC bis 85oC.
ECC SO D4 2400 16GB (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2133/2400/2666 MT/s Kapazität: 2GB~16GB. Original IC-Chip (Samsung/Hynix) . Unterstützung von ECC-Funktionen. Breiter Temperaturbereich von -40oC bis 85oC.
260pin ECC SO-D4-2666 32G 2Gbx8, -40-85 260pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2133/2400/2666 MT/s Kapazität: 2GB~16GB. Original IC-Chip (Samsung/Hynix) . Unterstützung von ECC-Funktionen. Breiter Temperaturbereich von -40oC bis 85oC.
UDIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) S Feste Stückliste/ Feste Form. 30u" Goldener Finger. Stufe eins Originalchip angenommen. EEPROM mit Wärmefühler. 100% Bildschirmtest. Burn-In Test.
SODIMM(ECC) DDR4 2400 16GB 1G*8 (0-85) 260pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2133/2400/2666 MT/s Kapazität: 2GB~16GB. Original IC-Chip (Samsung/Hynix) . Unterstützung von ECC-Funktionen. Breiter Temperaturbereich von -40oC bis 85oC.
ECC SO D4 2400 16GB (-40-85) SAM 260pin SODIMM ECC DIMM. Datenübertragungsrate: 2133/2400/2666 MT/s Kapazität: 2GB~16GB. Original IC-Chip (Samsung/Hynix) . Unterstützung von ECC-Funktionen. Breiter Temperaturbereich von -40oC bis 85oC.
