* Bilder dienen nur als Referenz. Siehe Produktspezifikationen (Datenblatt).
Geschäftsbedingungen
| Speicher | Hersteller | Advantech |
| Kapazität | 32 GB | |
| Chip-Hersteller | SAMSUNG | |
| Chip-Organisation | 2 G X 8 | |
| Rank | 2 Rank | |
| Schnittstelle | 288 Pin | |
| Frequenz | 5600 MHz | |
| Spannung | 1,1V | |
| PCB-Höhe | 1,23" | |
| Merkmal | ECC | |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85°C |
Technische Daten
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16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankenanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Original Samsung Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Samsung Originalchip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-Die ECC für verbesserten RAS.
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originaler Samsung-Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Anzahl an Bänken und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Samsung Original-Chip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankenanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank Refresh. On-Die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 2GX8 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Original Samsung Chip. Dual 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Banks und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Same-Bank-Refresh. On-die ECC für verbessertes RAS.
Advantech 8GB SO-DIMM DDR5-4800 262Pin 1Gx16 1.1V Ungepuffert Samsung Chip Samsung Originalchip. Duale 32-Bit-Subkanäle. Erhöhte Bankanzahl und Burst-Länge. DDR5 4,8GT/s. Gleiche-Bank-Auffrischung. On-Die ECC für verbesserten RAS.
