Module de mémoire DRAM

16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200 broches. 64MBX8. Chip Promos.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz sans tampon SO-DIMM. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Micron.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Puce DRAM de Micron. DDR4. DIMM enregistrée. Contacts à bord en or. 64GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Enregistré. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.