(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Čip Samsung DRAM. Špecifikácia DDR4. Nevyrovnaný modul DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". 4 GB.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.

8G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMO DDR1-400 SO-DIMM. 200-pinový. 64MX8. Propagačný čip.

DDR2 800 SODIMM 1GB 128x8 Nanya Čip Nanya DRAM. DDR3. So-DIMM. Nevypĺňané. 1 GB.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1.5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-pinový. 128MX8. Čip Samsung.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,35 V. Originálny čip Samsung.

4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204-pinový.512MX8.Samsung čip.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.

Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1.35V Nepamäťový Samsung Čip DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 256MX8. Samsung čip.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Čip Samsung DRAM. Špecifikácia DDR4. Nevyrovnaný modul DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". 4 GB.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.

8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Rýchlosť 3200MHz. Hrúbka zlatenia 30u". Odolnosť voči síraniu. ECC.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2 V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.