16 GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Nevypĺňané.
53 €
-
-
-
-
-
-
-
Komunálne služby a maloobchod
- AI pre podniky a služby
- Dotykové počítače a kiosky typu všetko v jednom
- Informačné tabule a počítače
- Predajné systémy a tablety
-
Pripojenia
- Brány priemyselných protokolov
- Konvertory, injektory a extendery
-
Mobilné smerovače a brány
- Antény
- Dvojmodulové smerovače 4G
- EN 50155 Železničné smerovače 4G
- Flexibilné smerovače 4G a brány IoT
- Káblové smerovače LAN
- Modulárne smerovače 3G
- Modulárne smerovače 4G
- Napájacie zdroje
- Príslušenstvo
- Robustné smerovače 4G a brány IoT
- Smerovače 4G a brány IoT pre začiatočníkov
- Softvér
- Vysokorýchlostné smerovače 4G/5G a brány Edge Computing
- Základné smerovače 4G
- Priemyselné bezdrôtové siete a brány
-
Priemyselné ethernetové prepínače
- Automatické zálohovanie a obnovenie N-Key
- EN50155 Ethernetové prepínače
- EN50155 Ethernetové prepínače: EKI-9500
- Ethernetové prepínače IEC61850-3
- Nespravované ethernetové prepínače
- Nespravované ethernetové prepínače: EKI-2000/5000
- Priemyselné PoE prepínače a riešenia
- Spravované ethernetové prepínače (základná úroveň)
- Spravované prepínače Ethernet
-
Sériová komunikácia
- Konvertory/izolátory/konvertory USB - ULI-300/400
- Sériové komunikačné karty
-
Sériové konvertory/izolátory/repeatery - ULI-200
- Dátová odbočka/rozdeľovač/kombinátor portov - ULI-250/260
- Izolované opakovače RS-422/485 - séria ULI-234
- Izolovaný opakovač/izolátor RS-232 - séria ULI-232
- Konvertory RS-232 na RS-422 - séria ULI-223
- Konvertory RS-232 na RS-422/485 - séria ULI-224
- Konvertory RS-232 na RS-485 - séria ULI-226
- Prevodník RS-232/422 na TTL/prúdovú slučku - ULI-227
- Sériové konvertory na optické vlákna - séria ULI-210
- Sériové prepäťové ochrany - séria ULI-240
- Servery zariadení Ethernet / Serial
- Telematické konvertory a brány
-
-
-
Priemyselná automatizácia
-
Priemyselná automatizácia
- Automatizácia strojov
- Automatizačné regulátory a I/O
- Bezdrôtové vstupy/výstupy a snímače
- Brány a vzdialené koncové jednotky (RTU)
- Certifikované riešenia
- Panelový počítač
- Rozhrania človek-stroj
- SoftLogic Software
- Softvér WebAccess a Edge SRP
- Súpravy na vývoj softvéru
- Trieda I, divízia 2 Riešenie
-
Vstavané počítače pre automatizáciu
- Automatizačný počítač s koľajničkou Din-Rail, séria UNO-1
- Kompaktný vstavaný box IPC
- Kompaktný vstavaný počítač
- Modul iDoor spoločnosti Advantech
- Ovládanie na lište Din-Rail IPC
- Počítač odolný proti výbuchu
- Počítače pre automatizáciu pre rozvodne elektrickej energie s možnosťou montáže do stojana
- Priemyselná brána IoT Edge Gateway
- Príslušenstvo UNO
- Rozšíriteľný automatizačný počítač
- Rozšíriteľný automatizačný počítač, séria UNO-3
- Stojanový vstavaný počítač, séria UNO-2
- Výkon a energia
- Vzdialený vstup/výstup
- Získavanie údajov (DAQ)
-
Priemyselná automatizácia
-
Certifikované periférne zariadenia
-
Certifikované periférne zariadenia
- Aktívny chladič CPU
- CPU
- Flash karta
- Grafická karta
- Klávesnica
- Mobilný stojan
- Myš
- Napájanie
- Optická jednotka
- Pamäťový modul DRAM
- Pasívny chladič CPU
- Pevný disk
- Pevný disk
- Radič RAID
- Rozširujúca karta
- Sieťová karta
- Softvér
- Súprava na montáž do stojana
- Zobrazenie
-
Certifikované periférne zariadenia
-
Zabudovaná výpočtová technika
-
Vstavaná výpočtová technika
-
Bezventilátorové vstavané počítače
- Rozširujúca súprava iDoor Module Mini PCIe
- Séria ARK Ultra Rugged
- Séria ARK-1000: Ultratenké vstavané počítače bez ventilátora
- Séria ARK-2000 : Jednoduchá flexibilita vstupov a výstupov Bezventilátorové vstavané počítače
- Séria ARK-3000: Vysoko výkonné vstavané počítače bez ventilátora
- Séria ARK-6300: Séria Mini-ITX Bezventilátorové vstavané počítače
- Séria ARK-7000: Extrémne výkonné okrajové servery
- Úložné moduly
- Káblové príslušenstvo
- Počítač na moduloch
- Prehrávače digitálnych nápisov
- Priemyselné bezdrôtové riešenia
- Priemyselné bleskové a pamäťové riešenia
- Priemyselné základné dosky
- Priemyselné zobrazovacie systémy
- Riešenia bezdrôtových displejov ePaper
- Riešenia Edge AI & Intelligence
- Riešenia pre herné platformy
- Softvér, distribúcia a služby AIoT
- Vstavané jednodoskové počítače
- Vstavané počítače
- Výpočtové platformy na báze Armu
- Zabudovaný softvér
-
Bezventilátorové vstavané počítače
-
Vstavaná výpočtová technika
-
-
-
-
-
-
-
Rozširovače siete Ethernet
-
Priemyselné routery
-
-
-
Bezdrôtové a mobilné siete
-
Príslušenstvo
-
-
-
-
-
-
-
Prepínače Ethernet
-
-
-
Konvertory médií
-
Priemyselná konektivita
-
-
-
Bezdrôtový prenos dat
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Icom Connectivity Suite
-
-
-
Icom Data Suite
-
-
-
Pamäťový modul DRAM
Podkategórie
4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
30 €
16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
75 €
8G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
35 €
Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originálny čip Hynix. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 5,6GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
85 €
1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200-pinový. 64MBX8. Propagačný čip.
108 €
8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-pinový. 512MX8. Čip Samsung.
66 €
32 GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Nevypĺňané.
106 €
16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1,2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.
72 €
(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Čip Micron.
53 €
4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
26 €
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Čip DRAM spoločnosti Micron. DDR4. Registrovaný modul DIMM. Zlaté okrajové kontakty. 64 GB.
289 €
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
151 €
8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registered. 240-pinový. 512MX8. Čip Samsung.
100 €
(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
34 €
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
94 €
Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1,1V Unbuffered Hynix Chip Originálny čip Hynix. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 5,6GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
156 €
- Na vyžiadanie
Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Originálny čip Hynix. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 5,6GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
85 €
- Na vyžiadanie
32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
142 €
- Na vyžiadanie
32G ECC-SODDR4 3200 1,2V 2GbX8 SAM 32 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. ECC.
129 €
- Na vyžiadanie
16 GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1 V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
126 €
- Na vyžiadanie
8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Veľmi nízky profil. Široká teplota. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
99 €
- Na vyžiadanie
32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
197 €
- Na vyžiadanie
16GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
106 €
- Na vyžiadanie
32 GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1,1 V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
225 €
- Na vyžiadanie
32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
197 €
- Na vyžiadanie
16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
106 €
- Na vyžiadanie
16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Originálny čip Samsung. Dva 32-bitové subkanály. Zvýšená dĺžka bánk a sérií. DDR5 4.8GT/s. Obnovenie v tej istej banke. ECC v diere pre vylepšené RAS.
75 €
- Na vyžiadanie
Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
102 €
- Na vyžiadanie
Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2 DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
149 €
- Na vyžiadanie
Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1. DDR4-3200 Registered ECC DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR).
93 €
- Na vyžiadanie
Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1,2V DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
27 €
- Na vyžiadanie
8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
45 €
- Na vyžiadanie
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Originálny čip Samsung. Široká teplota. -40C až +85C. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.
75 €
- Na vyžiadanie
8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
92 €
- Na vyžiadanie
8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Samsung.
66 €
- Na vyžiadanie
8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
45 €
- Na vyžiadanie
8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
94 €
- Na vyžiadanie
1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-pinový. 64MX8. Čip Micron.
121 €
- Na vyžiadanie
4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Veľmi nízky profil. Široká teplota. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.
68 €
- Na vyžiadanie
Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
55 €
- Na vyžiadanie
(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.
121 €
- Na vyžiadanie
(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Poskytuje lepšiu spoľahlivosť, dostupnosť a prevádzkyschopnosť (RAS) a zlepšuje integritu údajov.
207 €
- Na vyžiadanie
16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.
119 €
- Na vyžiadanie
(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
142 €
- Na vyžiadanie
16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
82 €
- Na vyžiadanie
16G ECC-DDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. ECC.
67 €
- Na vyžiadanie
16 GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Nevypĺňané.
53 €
- Na vyžiadanie
16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
82 €
- Na vyžiadanie
16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
140 €
- Na vyžiadanie
32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
190 €
- Na vyžiadanie
32 GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. Nevypĺňané.
106 €
- Na vyžiadanie
16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Hynix.
91 €
- Na vyžiadanie
(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
155 €
- Na vyžiadanie
16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
117 €
- Na vyžiadanie
16G ECC-SODDR4-3200 1,2V 1GbX8 SAM 16 GB. Rýchlosť 3200 MHz. Hrúbka pozlátenia 30u". Odolnosť proti odsíreniu. ECC.
67 €
- Na vyžiadanie
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
98 €
- Na vyžiadanie
16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
103 €
- Na vyžiadanie
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
155 €
- Na vyžiadanie
32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Väčšia šírka pásma, až 2600 Mb/s. Priemyselný stojan 30u Pozlátenie. Zvýšená energetická účinnosť. Zhoda s RoHS a štandardmi JEDEC. Do 32 GB.
178 €
- Na vyžiadanie
Micron 64G DDR4 3200 288PIN 4Gbx4 REG Čip DRAM spoločnosti Micron. Špecifikácia DDR4. Registrovaný modul DIMM. Zlaté okrajové kontakty. 64 GB.
451 €
- Na vyžiadanie
DDR2 800 DIMM 2GB 128x8 Nanya Čip Nanya DRAM. DDR2. Dlhý modul DIMM. Nevypĺňané. 2 GB.
71 €
- Na vyžiadanie
4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
52 €
- Na vyžiadanie
(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
56 €
- Na vyžiadanie
(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
68 €
- Na vyžiadanie
4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
31 €
- Na vyžiadanie
(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
41 €
- Na vyžiadanie
4G DDR4-2666 512MbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
30 €
- Na vyžiadanie
8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu.
57 €
- Na vyžiadanie
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
41 €
- Na vyžiadanie
8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
53 €
- Na vyžiadanie
512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMO DDR1-400 SO-DIMM. 200-pinový. 64MX8. Propagačný čip.
41 €
- Na vyžiadanie
1G SO-DDR3-1333 128X8 1.5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-pinový. 128MX8. Čip Samsung.
37 €
- Na vyžiadanie
1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,35 V. Originálny čip Samsung.
29 €
- Na vyžiadanie
4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.
51 €
- Na vyžiadanie
(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Micron.
57 €
- Na vyžiadanie
(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Spotreba energie 1,2 V. Nízkoenergetické automatické obnovovanie (LPASR). Inverzia dátovej zbernice (DBI) pre dátovú zbernicu. Nominálne a dynamické ukončenie na doske (ODT) pre dátové, stroboskopické a maskovacie signály.
59 €
- Na vyžiadanie
16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
91 €
- Na vyžiadanie
(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μquot; (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
69 €
- Na vyžiadanie
4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " hrúbka pozlátenia. Rezistor proti síreniu. Sériová detekcia prítomnosti s EEPROM. Podpora detekcie a opravy chýb ECC. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
34 €
- Na vyžiadanie
4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
25 €
- Na vyžiadanie
4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
52 €
- Na vyžiadanie
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30 μ" (štandard IPC-2221). Spotreba energie 1,2 V. Zhoda s RoHS. Originálny čip Hynix.
43 €
- Na vyžiadanie
8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Hrúbka pozlátenia 30μ". Spotreba energie 1,2 V. Originálny čip Samsung.
52 €
- Na vyžiadanie
8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2 V SAM DDR4 2666Mhz bez vyrovnávacej pamäte SO-DIMM. 30μ " hrúbka pozlátenia. Spotreba energie 1,2 V. 100% testovanie stability, kompatibility a výkonu. Originálny čip Samsung.
35 €
- Na vyžiadanie