Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 registrovaná ECC DIMM. Spotřeba energie 1,2V. Podporuje detekci a opravu chyb ECC. Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nízkopříkonové automatické samostatné obnovení (LPASR).

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Čip DRAM Micron. DDR4. Registrované DIMM. Zlaté kontakty na okrajích. 64GB.

Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Registrované ECC DIMM.Spotřeba energie 1,2V.Podporuje detekci a opravu chyb ECC.Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici.Nízkospotřebové automatické samostatné obnovení (LPASR).

Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registrovaný ECC DIMM. Spotřeba energie 1,2V. Podporuje detekci a opravu chyb ECC. Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nízkoenergetická automatická samoobnova (LPASR).

15,6" Mildex CTP STANDARD, GG w/EETI-80H Design od okraje k okraji. Nakonfigurovaný modul dotykového panelu. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšení materiálu pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora dotykové funkce 10 prstů.

12,1" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-80 Design od okraje k okraji. Nakonfigurovaný modul dotykového panelu. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšení materiálu pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora dotykové funkce 10 prstů.

XEON 2.3G 36M 3647P 24C Gold 6252N Intel Xeon Silver 6252N. 2,3 GHz. 36 MB Cache. FCLGA3647.

Micron Crucial MX500 TLC SSD SATA3 2.5" 500G Původní čip od společnosti Micron s omezenou zárukou na 5 let. Podpora S.M.A.R.T., TRIM a NCQ pro udržení zdravého a efektivního SSD. Vestavěný algoritmus pro vyrovnávání opotřebení zajišťuje vysokou spolehlivost přenosu dat. Úložiště až pro 4TB dat.

SG Enterprise 3.5"4TB 7KRPM SATA 256MB 3.5" SATA rozhraní. Rychlost otáček vřetene 7200 RPM. Vysoké okamžité (burst) rychlosti přenosu dat (až 600 MB za sekundu). Moderní cache a algoritmy pro opravu chyb v reálném čase. Podpora pro monitorování a hlášení stavu disku S.M.A.R.T.

Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ 30u" tloušťka zlata. Odolnost proti síření. Originální čip Samsung. Široký teplotní rozsah -40 °C až +85 °C. 100% testováno pro stabilitu, kompatibilitu a výkon.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-pinový. 512MX8. Čip Hynix.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1,35V & 1,5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204-Pinový.512MX8.Samsung čip.

8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB.Rychlost 3200MHz.30u" tloušťka zlatého pokovení.Odolnost proti sulfidaci.ECC.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

8G R-DDR3-1600 1,35V & 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registrovaná. 240 pinů. 512MX8. Samsung čip.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Čip Hynix.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-pinový.512MX8.Samsung čip.

HLDS Ultra Slim DVR 8X SATA Blu-Ray Černý Interní ultra tenká BD/DVD zapisovací mechanika s výškou 9,5 mm.Kompatibilní se sériovým ATA rozhraním.Velká vyrovnávací paměť 4 MB.Podpora zápisu/čtení M-Disc DVD a BD (Studie provedené Divizí zbraní Námořního leteckého válečného centra USA).Podporuje BDXL (100GB trojitá vrstva) disk.

1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-pinový. 64MX8. Čip Micron.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200-Pinů. 64MBX8. Čip Promos.

CREMAX M-RACK SATA 5.25"X2 NA 3HDD BLACK Pojme 3 x 3.5"/2.5" SATA SSD/HDD ve dvou 5.25" pozicích pro disky. Kovové tělo s částečným plastovým krytem. Automatická vysouvací rukojeť. Podpora až do SATA 6Gb/s a možnost výměny za chodu.

CREMAX M-RACK 5.25" 4X2.5" SAS/ST ČERNÝ(G) Výstup: 5.25". Vstup: 4* 2.5" HDD/SSD. Délka: 2* 4cm ventilátor. PCIE držák: Černý. Kompatibilní zařízení: Zelená: Napájení zařízení. Jantarová: Aktivita disku.

WD IPC 2.5 2TB 5KRPM 7MM SATAIII 128MB Kapacita 2 TB. Doporučeno pro některé průmyslové aplikace. 7,5" výška 7 mm. Aplikace 8X5.

SG AV 2.5" 2TB SATAIII 5K 128MB Pracovní zátěž až 180 TB ročně. Spolehlivý výkon v systémech pro monitorování s vysokou intenzitou zápisu. Provoz 24x7.

(DEL22)PENTIUM 3.2G 3M 1150P G3420 Intel Pentium G3420. 3,2 GHz. 3 MB mezipaměti. LGA1150.

WD AV 3TB 3,5" 5KRPM SATAIII 64MB 4K 3TB úložiště. Navrženo pro spolehlivost 24x7. 5K RPM 64MB Cache. Ideální pro NVR / DVR / PVR / IPTV. Rozhraní SATA. 3letá omezená záruka.

WD Enterprise 3.5" 1 TB 7RPM SATAIII 128MB 1TB úložiště. Navrženo pro spolehlivost 24x7. 7K RPM s 128MB cache. Podpora RAID & 24x7. SATA rozhraní. 5letá omezená záruka.

Toshiba 3,5" SATA3 1TB 7200 128MB Velkokapacitní (až 14 TB) ve standardním 3,5palcovém formátu. Navrženo pro pracovní zátěž 24 × 7 až 550 TB přenesených za rok. 512 Technologie nativního sektoru. Nejnovější vibrační technologie. Možnost okamžitého vymazání (SIE) k dispozici.

ATP 8G MICRO SD KARTA I-GRD SLC(G) Podporuje SD režim, SPI režim. Vysoká spolehlivost, provozní teplota -40~ 85°C. NAND flash paměť typu SLC. Odolná vůči vodě, prachu a ESD. Podpora vylepšeného cyklování napájení.

SSSTC SEMI-WT SSD 512GB 2280 SATA3 Tos KIOXIA 3D TLC. SATAIII. PODPORA ZAPNUTÍ ZAŘÍZENÍ. POLOPROPUSTNÁ PODPORA (-25 ℃ ~ 85 ℃). VÝKON AŽ 550 MB. OPTIMALIZOVÁNO PRO IPC A OKRAJOVÉ ÚLOŽIŠTĚ.

SSSTC SEMI-WT SSD 512GB 2,5" SATA3 Tos KIOXIA 3D TLC. SATAIII. PODPORA ZAPNUTÍ ZAŘÍZENÍ. POLOPROPUSTNÁ PODPORA (-25 ℃ ~ 85 ℃). VÝKON AŽ 550 MB. OPTIMALIZOVÁNO PRO IPC A OKRAJOVÉ ÚLOŽIŠTĚ.

4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Velmi nízký profil. Široký teplotní rozsah. Tloušťka pozlacení 30μ". Spotřeba energie 1,2V. Zajišťuje vyšší spolehlivost, dostupnost a servisovatelnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.

Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz Unbuffered DIMM. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Inverze datové sběrnice (DBI) pro datovou sběrnici. Nominální a dynamické zakončení na desce (ODT) pro datové, stroboskopické a maskovací signály.

CORE 2.4G 4M 1150P 2CORE I3-4330TE Intel i3-4330TE 4. generace. 2,4 GHz. 4 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 2.6G 4M 1150P 2CORE I3-4340TE Intel i3-4340TE 4. generace. 2,6 GHz. 4 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 3.1G 4M 1150P 2CORE I3-4350T Intel i3-4350T 4. generace. 3,1 GHz. 4 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 3.5G 4M 1150P 2CORE I3-4330 Intel i3-4330 4. generace. 3,5 GHz. 4 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 3.7G 4M 1150P 2CORE I3-4360 Intel i3-4360 4. generace. 3,7 GHz. 4 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 3,1G 6M 1151P 4JÁDRO I3-8100T Intel Core i3-8100T.3,1 GHz.6 MB Cache.FCLGA1151.

CORE I3 2.3G 6M 1200P 4C I3-10100TE Intel Core i3-10100TE. 2,3 GHz. 6 MB vyrovnávací paměti. FCLGA1200.

CORE I3 3.2G 6M 1200P 4C I3-10100E Intel Core i3-10100E. 3,2 GHz. 6 MB mezipaměti. FCLGA1200.

CORE 2,2G 6M 1151P 4C I3-9100TE Intel Core i3-9100TE. 2,2 GHz. 6 MB Cache. FCLGA1151.

CORE 3.4G 3M 1151P 2CORE I3-7101TE Intel Core i3-7101TE. 3,4 GHz. 3 MB mezipaměť. LGA1151.

CORE 3.9G 3M 1151P 2CORE I3-7101E Intel Core i3-7101E. 3,9 GHz. 3 MB cache. LGA1151.

CORE 2.7G 4M 1151P 2 CORE I3-6100TE Intel Core i3-6100TE 6. generace. 2,7 GHz. 4 MB vyrovnávací paměti. LGA1151.

CORE 3,7G 3M 1151P 2 JÁDRA I3-6100 Intel 6. generace Core i3-6100. 3,7 GHz. 3 MB vyrovnávací paměť. LGA1151.

CORE 2.0G 6M 1150P 4CORE I5-4590T Intel Core i5-4590T 4. generace. Až 3,0 GHz. 6 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 2.7G 4M 1150P 2 CORE I5-4570TE Intel Core i5-4570TE 4. generace. Až 3,3 GHz. 4 MB mezipaměti. LGA1155.

CORE 2.9G 6M 1150P 4 CORE I5-4570S Intel Core i5-4570S 4. generace. Až 3,6 GHz. 6 MB mezipaměti. LGA1150.

CORE 3.0G 6M 1150P 4CORE i5-4590S Intel Core i5-4590S 4. generace. Až 3,7 GHz. 6 MB mezipaměti. LGA1150.

JÁDRO 2.1G 9M 1151P 6JÁDRO i5-8500T Intel Core i5-8500T. 2,1 GHz. 9 MB vyrovnávací paměť. FCLGA1151.

CORE 2.7G 6M 1151P 4CORE I5-7500T Intel Core i5-7500T, 7. generace. 2,7 GHz. 6 MB mezipaměť. LGA1151.

JÁDRO 3,4G 6M 1151P 4JÁDRO I5-7500 Intel 7. generace Core i5-7500. 3,4 GHz. 6 MB vyrovnávací paměti. LGA1151.

CORE 2.3G 6M 1151P 4 CORE I5-6500TE Intel 6. generace Core i5-6500TE. Až 3,3 GHz. 6 MB vyrovnávací paměti. LGA1151.

CORE 3,2G 6M 1151P 4 CORE I5-6500 Intel 6. generace Core i5-6500.Až 3,6 GHz.6 MB Cache.LGA1151.

(DEL18)CORE 3.4G 8M 1155P 4CORE I7-2600 Intel Core i7-2600 2. generace. Až 3,8 GHz. 8 MB mezipaměti. LGA1155.

Xeon 3,2G 8M 1150P 4CORE E3-1225 v3 Intel Xeon E3-1225 v3. 3,2 GHz. 8 MB mezipaměti. LGA1150.

XEON 2.4G 12M 1200P 6C W-1250TE Intel Xeon W-1250TE. 2,4 GHz. 12 MB vyrovnávací paměť. FCLGA1200.

XEON 3.5G 12M 1200P 6C W-1250E Intel Xeon W-1250E. 3,5 GHz. 12 MB vyrovnávací paměť. FCLGA1200.

XEON 3.4G 12M 1151P 6C E-2226GE Intel Xeon E-2226GE. 3,4 GHz. 12 MB vyrovnávací paměť. FCLGA1151.

XEON 3.3G 8M 1151P 4 JÁDRO E3-1225V5 Intel Xeon E3-1225 v5. 3,3 GHz. 8 MB Cache. LGA1151.

15,0" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-8 Design od okraje k okraji. Nakonfigurovaný modul dotykového panelu. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšení materiálu pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora dotykové funkce 10 prstů.

18,5" Mildex CTP STANDARD, GFF w/EETI-8 Design od okraje k okraji. Nakonfigurovaný modul dotykového panelu. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšení materiálu pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora dotykové funkce 10 prstů.

21,6" Mildex CTP STANDARD, GG s EETI-80H84 COF Bezrámový design. Konfigurovaný dotykový panelový modul. Přizpůsobený design krycího skla. Vylepšený materiál pro venkovní řešení (volitelné). Řešení IC s vysokým poměrem signálu a šumu (S/NR). Podpora funkce dotyku až 10 prsty.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. Spotřeba energie 1,2 V. Automatické obnovování s nízkou spotřebou energie (LPASR). Zajišťuje lepší spolehlivost, dostupnost a provozuschopnost (RAS) a zlepšuje integritu dat.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka zlacení 30u". Odolnost proti sulfidaci. ECC.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

16G DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz Unbuffered UDIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Hynix.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μquot; (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM s ECC. 30μ " tloušťka pozlacení. Rezistor proti sulfataci. Sériová detekce přítomnosti s pamětí EEPROM. Podpora detekce a opravy chyb ECC. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Rychlost 3200MHz. Tloušťka zlatého pokovení 30u". Odolnost proti sulfidaci. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Unbuffered SO-DIMM. Tloušťka pozlacení 30 μ" (standard IPC-2221). Spotřeba energie 1,2 V. V souladu s RoHS. Originální čip Hynix.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz s nevyrovnanou vyrovnávací pamětí SO-DIMM. 30μ " tloušťka pozlacení. Spotřeba energie 1,2 V. 100% testování stability, kompatibility a výkonu. Originální čip Samsung.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V SAM Větší šířka pásma, až 2600 Mb/s. Průmyslový stojan 30u Gold Plating. Zvýšená energetická účinnost. V souladu s RoHS a standardy JEDEC. Až 32 GB.

(DEL23)GT730 2G PCIEX16 DVI+HDMI+VGA Nízký Profil NVIDIA GeForce®GT730 GPU. DVI-D, HDMI a VGA. Velikost paměti 2 GB. Nízký profil.

SG IPC 5TB 2.5" 5KRPM SATA3 128MB 5 TB úložiště. 5K RPM 128MB vyrovnávací paměti. Ideální pro obecné účely úložiště. SATA rozhraní. 3letá záruka.

SG Enterprise 2.5" 1.2TB 10KRPM SAS 12Gb/s Úložiště 1,2TB. 10K RPM, 256MB Cache. Podpora RAID & 24x7 provoz. Rozhraní SAS 12Gb/s. 5letá omezená záruka.

SG Enterprise 2,5" 1TB 7KRPM SATA 128 MB 1TB úložiště. 7K RPM 128 MB vyrovnávací paměti. Podporovaný nájezd a 24X7. Rozhraní SATA. 5letá omezená záruka.

SG Ent 2,5" 2TB 7KRPM SATA 128MB 512E 2TB úložiště. 7K RPM 128 MB vyrovnávací paměti. Podporovaný nájezd a 24X7. Rozhraní SATA. 5letá omezená záruka.

SG Enterprise 2,5" 600GB 10KRPM SAS 12Gb/s 256MB 600GB úložiště. 10K RPM, 256MB vyrovnávací paměť. Podpora RAID & provoz 24/7. Rozhraní SAS 12Gb/s. 5letá omezená záruka.

RAIDON SATA3 RAID0/1 2.5"HDDX2 BLK Pojme 2 x 2.5" SATA SSD/HDD v jednom 5.25" pozici pro jednotku. Podpora RAID 0/1. Čitelný LCD displej a LED indikátory. Podpora až SATA 6Gb/s. Podpora hot swap a automatické obnovy.

ADAPTEC 8405E SAS 4P 12GB/S 512M PCIEX8 RAID 0, 1, 10. 4 porty (4 interní). Kompatibilita 12 Gb/s s SA/SATA HDD nebo SSD zařízeními. Funkce kombinovaného režimu RAID adaptéru a cache HBA.

SOFTWARE, WIN 10 PRO 64BIT ENG 1PK CD INTL. Zabezpečení podnikové kvality pro malé a střední podniky. Rychlé spuštění systému a rychlá odezva. Jednoduché nastavení a správa. Možnost připojení k Azure Active Directory s jednotným přihlášením k aplikacím hostovaným v cloudu3. Obsahuje produktový klíč a DVD.

TR 128GB 2.5" SSD SATAIII MLC -40~90°C 2.5". MLC. SATA III. 128GB.

SSSTC SEMI-WT SSD 1TB 2,5" SATA3 Tos 96 KIOXIA 3D TLC. SATAIII. PODPORA ZAPNUTÍ ZAŘÍZENÍ. POLOPROPUSTNÁ PODPORA (-25 ℃ ~ 85 ℃). VÝKON AŽ 550 MB. OPTIMALIZOVÁNO PRO IPC A OKRAJOVÉ ÚLOŽIŠTĚ.

TR 256GB 2,5" SSD SATAIII MLC -10~80°C 2.5". MLC. SATA III. 256 GB.

INTEL CELERON 2.2G 2MB 1150P G1820TE Intel Celeron G1820TE. 2,2 GHz. 2 MB mezipaměti. LGA1150.

INTEL CELERON 2.7G 2MB 1150P G1820 Intel Celeron G1820. 2,7 GHz. 2 MB mezipaměti. LGA1150.

CELERON 2.9G 2M 1151P G4900T Intel Celeron G4900T. 2,9 GHz. 2 MB vyrovnávací paměti. Socket FCLGA1151.

CELERON 3.1G 2M 1151P G4900 Intel Celeron G4900. 3,1 GHz. 2 MB Cache. FCLGA1151.