(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Puce DRAM Samsung. Spécifications DDR4. DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". 4GB.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400 SO-DIMM. 200 broches. 64MX8. Chip Promos.

DDR2 800 SODIMM 1GB 128x8 Nanya Puce DRAM Nanya. DDR3. So-DIMM. Sans tampon. 1GB.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1.5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-Pin. 128MX8. Puce Samsung.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM.204 broches.512MX8.Puce Samsung.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Micron.

Advantech 4G SO-DDR3-1600 204 broches 256X8 1.35V Non tamponné Puce Samsung DDR3-1600 SO-DIMM.204 broches.256MX8.Puce Samsung.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données,...

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Puce DRAM Samsung. Spécifications DDR4. DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". 4GB.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8Go.Vitesse 3200MHz.Épaisseur de placage en or de 30u".Résistance à l'anti-sulfuration.ECC.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.