Module de mémoire DRAM

16GB DDR4 SODIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

Advantech 16GB DDR5-5600 288Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200 broches. 64MBX8. Chip Promos.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

32GB DDR4 SODIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

16G SO-DDR4-3200 1GbX8 1.2V SAM -40~85C DDR4 3200Mhz sans tampon SO-DIMM. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

(DEL21)4G DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Micron.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Puce DRAM de Micron. DDR4. DIMM enregistrée. Contacts à bord en or. 64GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

8G R-DDR3-1600 1.35V&1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Enregistré. 240-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

Advantech 32GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

Advantech 16GB SO-DIMM DDR5-5600 262Pin 2GX8 1.1V Unbuffered Hynix Chip Puce originale Hynix. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 5.6GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

32GB SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

32G ECC-SODDR4 3200 1.2V 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. ECC.

16GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

8G DDR4 3200 512x8 REG VLP -40~85℃ SAM DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Profil très bas. Température élevée. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).

32GB ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

16 Go ECC SO-DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

32GB R-DDR5 4800 R-Dimm 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

32GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

16GB ECC DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

16GB DDR5-4800 2GX8 1.1V SAM Puce originale Samsung. Deux sous-canaux de 32 bits. Augmentation des banques et de la longueur des rafales. DDR5 4.8GT/s. Rafraîchissement de la même banque. ECC sur puce pour un RAS amélioré.

Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2 DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Consommation électrique de 1,2 V. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).

Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2 DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Consommation électrique de 1,2 V. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).

Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1. DDR4-3200 DIMM ECC enregistré. Consommation électrique de 1,2 V. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Auto-rafraîchissement automatique à faible puissance (LPASR).

Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM -40~85℃ Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Puce originale Samsung. Température étendue. De -40C à +85C. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V&1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Samsung.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

8G DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200 broches. 64MX8. Puce Micron.

4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DIMM enregistrée DDR4-2400. Profil très bas. Température élevée. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.

Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DIMM enregistrée DDR4 2933Mhz. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Améliore la fiabilité, la disponibilité et la facilité d'entretien (RAS) et l'intégrité des données.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. ECC.

16GB DDR4 DIMM-3200 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

32GB DDR4 DIMM-3200 2GbX8 SAM 32GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. Sans tampon.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Hynix.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Vitesse 3200MHz. Épaisseur du placage d'or de 30u. Résistance à la sulfuration. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Bande passante accrue, jusqu'à 2600 Mbps. Stand industriel 30u plaqué or. Efficacité énergétique améliorée. Conforme à RoHS et aux normes JEDEC. Jusqu'à 32 Go.

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 4Gbx4 REG Puce DRAM de Micron. Spécifications DDR4. DIMM enregistrée. Contacts à bord en or. 64GB.

DDR2 800 DIMM 2GB 128x8 Nanya Puce DRAM Nanya. DDR2. DIMM longue. Sans tampon. 2GB.

4G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données, d'échantillonnage et de masquage.

(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

4G DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon UDIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DIMM DDR4-2400 sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400 SO-DIMM. 200 broches. 64MX8. Chip Promos.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1.5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-Pin. 128MX8. Puce Samsung.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. 1,35V consommation d'énergie. Puce originale Samsung.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Hynix.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Puce Micron.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz DIMM sans tampon. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. Consommation électrique de 1,2 V. Auto-rafraîchissement automatique à faible consommation (LPASR). Inversion du bus de données (DBI) pour le bus de données. Terminaison nominale et dynamique sur le circuit (ODT) pour les signaux de données,...

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur de la dorure (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM avec ECC. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Résistance anti-sulfuration. Détection de présence en série avec EEPROM. Supporte la détection et la correction d'erreurs ECC. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ" (norme IPC-2221). Consommation électrique de 1,2 V. Conforme à la directive RoHS. Puce originale Hynix.

8G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 SO-DIMM sans tampon. Épaisseur de la dorure de 30μ". Consommation électrique de 1,2 V. Puce originale Samsung.

8G SO-DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz sans tampon SO-DIMM. 30μ&quot ; épaisseur du placage d'or. Consommation électrique de 1,2 V. 100% testé pour la stabilité, la compatibilité et la performance. Puce originale Samsung.