Micron 8G DDR4 3200 288PIN 1GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registered ECC DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbusinversion (DBI) für Datenbus. Niedrigenergie-Auto-Selbstaktualisierung (LPASR).

Micron 64G DDR4 3200 288PIN 16Gbx4 REG Micron DRAM-Chip. DDR4. Registered DIMM. Goldene Randkontakte. 64GB.

Micron 32G DDR4 3200 288PIN 2GX4 REG 1.2V DDR4-3200 Registered ECC DIMM. 1,2V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbus-Inversion (DBI) für den Datenbus. Niedrigstrom-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).

Micron 16G DDR4 3200 288PIN 2GbX8 REG 1.2V DDR4-3200 Registriertes ECC DIMM. 1,2V Stromverbrauch. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -korrektur. Datenbus-Inversion (DBI) für den Datenbus. Niedrigleistungs-Auto-Selbstauffrischung (LPASR).

15,6" Mildex CTP STANDARD, GG mit EETI-80H Rand-zu-Rand-Design. Konfiguriertes Touchpanel-Modul. Kundenspezifisches Deckglasdesign. Veredelung von Materialien für den Außenbereich (optional). IC-Lösungen mit hohem Signal- und Rauschverhältnis (S/NR). Unterstützt 10-Finger-Touch-Funktion.

12,1" Mildex CTP STANDARD, GFF mit EETI-80 Rand-zu-Rand-Design. Konfiguriertes Touchpanel-Modul. Kundenspezifisches Deckglasdesign. Veredelung von Materialien für den Außenbereich (optional). IC-Lösungen mit hohem Signal- und Rauschverhältnis (S/NR). Unterstützt 10-Finger-Touch-Funktion.

XEON 2,3G 36M 3647P 24C Gold 6252N Intel Xeon Silver 6252N. 2,3 GHz. 36 MB Cache. FCLGA3647.

Micron Crucial MX500 TLC SSD SATA3 2.5" 500G Micron Originalchip mit 5 Jahren eingeschränkter Garantie. Unterstützt S.M.A.R.T., TRIM und NCQ zur Aufrechterhaltung einer gesunden, effizienten SSD. Eingebauter Wear-Leveling-Algorithmus sorgt für hohe Zuverlässigkeit bei der Datenübertragung. Speicherkapazität von bis zu 4TB.

SG Enterprise 3,5" 4TB 7KRPM SATA 256MB 3,5" SATA-Schnittstelle. 7200 U/min Spindelgeschwindigkeit. Hohe sofortige (Burst) Datenübertragungsraten (bis zu 600 MB pro Sekunde). Modernster Cache und Echtzeit-Fehlerkorrektur-Algorithmen. Unterstützung für S.M.A.R.T.-Laufwerksüberwachung und -berichterstattung.

Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gbx8 1.2V DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

8G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V SAM -40~85℃ 30µ" Goldbeschichtungsdicke. Schwefelbeständigkeit. Original Samsung Chip. Weiter Temperaturbereich: -40°C bis +85°C. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

8G SO-DDR3-1600 512X8 1,35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.

8G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V & 1.5V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung Chip.

8G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GX8 SAM 8GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30µ" Goldbeschichtungsstärke. Schwefelbeständigkeit. ECC.

8G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8G R-DDR3-1600 1,35V & 1,5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC Registered.240-Pin.512MX8.Samsung-Chip.

8G DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600. 240-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.

8GB ECC-DDR3-1600 1.35V & 1.5V 512X8 SAM DDR3-1600 ECC.240-Pin.512MX8.Samsung Chip.

HLDS Ultra Slim DVR 8X SATA Blu-Ray Schwarz 9,5 mm hohes internes ultra-schlankes BD/DVD-Brennerlaufwerk. Entspricht der Serial ATA-Busschnittstelle. Großer Pufferspeicher von 4 MB. M-Disc DVD- und BD-Schreib-/Lesefunktion (Studien durchgeführt vom U.S. Naval Air Warfare Center Weapons Division). Unterstützt BDXL (100GB Triple Layer) Disc.

1GB I-GRADE SO-DDR1 400MHz 64Mx8 Micron DDR1-400 SO-DIMM. 200-Pin. 64MX8. Micron-Chip.

1G SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400. 200-Pin. 64MBX8. Promos-Chip.

CREMAX M-RACK SATA 5.25"X2 ZU 3HDD SCHWARZ Passend für 3 x 3,5"/ 2,5" SATA SSD/HDD in zwei 5,25" Laufwerksschächten. Metallgehäuse mit teilweise Kunststoff. Automatischer Auswurfgriff zum Ein- und Ausziehen. Unterstützt bis zu SATA 6Gb/s und Hot-Swap.

CREMAX M-RACK 5.25" 4X2.5" SAS/ST BLK(G) Ausgang: 5.25". Eingang: 4* 2.5" HDD/SSD. Länge: 2* 4cm Lüfter. PCIE-Halterung: Schwarz. Kompatible Geräte: Grün: Gerätebetrieb. Bernstein: Laufwerksaktivität.

WD IPC 2.5 2TB 5KRPM 7MM SATAIII 128MB 2TB Kapazität. Empfohlen für bestimmte industrielle Anwendungen. 7.5" 7mm Höhe. 8X5 Anwendung.

SG AV 2,5" 2TB SATAIII 5K 128MB Arbeitslast von bis zu 180 TB pro Jahr.Zuverlässige Leistung in schreibintensiven Überwachungssystemen.24x7 Anwendungen.

(DEL22)PENTIUM 3.2G 3M 1150P G3420 Intel Pentium G3420. 3,2 GHz. 3 MB Cache. LGA1150.

WD AV 3TB 3.5" 5KRPM SATAIII 64MB 4K 3TB Speicher. Entwickelt für 24x7-Zuverlässigkeit. 5K RPM 64MB Cache. Ideal für NVR / DVR / PVR / IPTV. SATA-Schnittstelle. 3 Jahre beschränkte Garantie.

WD Enterprise 3,5" 1 TB 7RPM SATAIII 128MB 1TB Speicher.Entwickelt für 24x7-Zuverlässigkeit.7K RPM 128MB Cache.RAID-Unterstützung & 24x7.SATA-Schnittstelle.5 Jahre eingeschränkte Garantie.

Toshiba 3,5" SATA3 1TB 7200 128MB Große Kapazität (bis zu 14 TB) in einem Industriestandard 3,5-Zoll-Formfaktor. Konzipiert für 24 × 7 Workloads mit bis zu 550 TB Gesamtübertragungen pro Jahr. 512 Technologie für den einheimischen Sektor. Die neueste Vibrationstechnologie. Option "Sanitize Instant Erase" (SIE) verfügbar.

ATP 8G MICRO SD-KARTE I-GRD SLC(G) Unterstützt SD-Modus, SPI-Modus. Hohe Zuverlässigkeit, Betriebstemperatur von -40 bis 85°C. SLC NAND-Flash-Speicher. Wasserfest, staubdicht und ESD-beständig. Erweiterte Unterstützung für Power-Cycling.

SSSTC SEMI-WT SSD 512GB 2280 SATA3 Tos KIOXIA 3D TLC. SATAIII. DEVICE-ON-UNTERSTÜTZUNG. SEMI-WI UNTERSTÜTZUNG (-25℃ ~ 85℃). BIS ZU 550MB LEISTUNG. OPTIMIERT FÜR IPC UND EDGE STORAGE.

SSSTC SEMI-WT SSD 512GB 2.5" SATA3 Tos KIOXIA 3D TLC. SATAIII. DEVICE-ON-UNTERSTÜTZUNG. SEMI-WI UNTERSTÜTZUNG (-25℃ ~ 85℃). BIS ZU 550MB LEISTUNG. OPTIMIERT FÜR IPC UND EDGE STORAGE.

4G DDR4 2400 512x8 REG VLP -40~85C SAM DDR4-2400 Registered DIMM. Sehr niedriges Profil. Weiter Temperaturbereich. 30μ" Goldbeschichtung. 1,2V Stromverbrauch. Bietet verbesserte Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbessert die Datenintegrität.

Micron 16GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 2Gbx8 1.2 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

KERN 2.4G 4M 1150P 2CORE I3-4330TE Intel 4. Generation i3-4330TE. 2,4 GHz. 4 MB Cache. LGA1150.

KERN 2.6G 4M 1150P 2CORE I3-4340TE Intel 4. Generation i3-4340TE. 2,6 GHz. 4 MB Cache. LGA1150.

KERN 3.1G 4M 1150P 2CORE I3-4350T Intel 4. Generation i3-4350T. 3,1 GHz. 4 MB Cache. LGA1150.

KERN 3.5G 4M 1150P 2CORE I3-4330 Intel 4. Generation i3-4330. 3,5 GHz. 4 MB Cache. LGA1150.

KERN 3.7G 4M 1150P 2CORE I3-4360 Intel 4. Generation i3-4360. 3,7 GHz. 4 MB Cache. LGA1150.

CORE 3,1G 6M 1151P 4CORE I3-8100T Intel Core i3-8100T. 3,1 GHz. 6 MB Cache. FCLGA1151.

CORE I3 2,3G 6M 1200P 4C I3-10100TE Intel Core i3-10100TE. 2,3 GHz. 6 MB Cache. FCLGA1200.

CORE I3 3,2G 6M 1200P 4C I3-10100E Intel Core i3-10100E. 3,2 GHz. 6 MB Cache. FCLGA1200.

CORE 2.2G 6M 1151P 4C I3-9100TE Intel Core i3-9100TE. 2,2 GHz. 6 MB Cache. FCLGA1151.

CORE 3.4G 3M 1151P 2CORE I3-7101TE Intel Core i3-7101TE. 3,4 GHz. 3 MB Cache. LGA1151.

CORE 3,9G 3M 1151P 2CORE I3-7101E Intel Core i3-7101E. 3,9 GHz. 3 MB Cache. LGA1151.

CORE 2.7G 4M 1151P 2 CORE I3-6100TE Intel 6. Generation Core i3-6100TE. 2,7 GHz. 4 MB Cache. LGA1151.

CORE 3,7G 3M 1151P 2 KERNE I3-6100 Intel Core i3-6100 der 6. Generation.3,7 GHz.3 MB Cache.LGA1151.

KERN 2.0G 6M 1150P 4CORE I5-4590T Intel Core i5-4590T der 4. Generation. Bis zu 3,0 GHz. 6 MB Cache. LGA1150.

KERN 2.7G 4M 1150P 2 KERN I5-4570TE Intel Core i5-4570TE der 4. Generation. Bis zu 3,3 GHz. 4 MB Cache. LGA1155.

KERN 2.9G 6M 1150P 4 KERN I5-4570S Intel Core i5-4570S der 4. Generation. Bis zu 3,6 GHz. 6 MB Cache. LGA1150.

CORE 3.0G 6M 1150P 4CORE i5-4590S Intel Core i5-4590S der 4. Generation. Bis zu 3,7 GHz. 6 MB Cache. LGA1150.

CORE 2.1G 9M 1151P 6CORE i5-8500T Intel Core i5-8500T. 2,1 GHz. 9 MB Cache. FCLGA1151.

CORE 2,7G 6M 1151P 4CORE I5-7500T Intel Core i5-7500T der 7. Generation. 2,7 GHz. 6 MB Cache. LGA1151.

CORE 3.4G 6M 1151P 4CORE I5-7500 Intel Core i5-7500 der 7. Generation. 3,4 GHz. 6 MB Cache. LGA1151.

CORE 2,3G 6M 1151P 4 CORE I5-6500TE Intel Core i5-6500TE der 6. Generation. Bis zu 3,3 GHz. 6 MB Cache. LGA1151.

CORE 3,2G 6M 1151P 4 CORE I5-6500 Intel Core i5-6500 der 6. Generation.Bis zu 3,6 GHz.6 MB Cache.LGA1151.

(DEL18)CORE 3.4G 8M 1155P 4CORE I7-2600 Intel Core i7-2600 der 2. Generation. Bis zu 3,8 GHz. 8 MB Cache. LGA1155.

Xeon 3.2G 8M 1150P 4CORE E3-1225 v3 Intel Xeon E3-1225 v3. 3,2 GHz. 8 MB Cache. LGA1150.

XEON 2.4G 12M 1200P 6C W-1250TE Intel Xeon W-1250TE. 2,4 GHz. 12 MB Cache. FCLGA1200.

XEON 3.5G 12M 1200P 6C W-1250E Intel Xeon W-1250E. 3,5 GHz. 12 MB Cache. FCLGA1200.

XEON 3,4G 12M 1151P 6C E-2226GE Intel Xeon E-2226GE. 3,4 GHz. 12 MB Cache. FCLGA1151.

XEON 3,3G 8M 1151P 4 KERNE E3-1225V5 Intel Xeon E3-1225 v5. 3,3 GHz. 8 MB Cache. LGA1151.

15,0" Mildex CTP STANDARD, GFF mit EETI-8 Rand-zu-Rand-Design. Konfiguriertes Touchpanel-Modul. Kundenspezifisches Deckglasdesign. Veredelung von Materialien für den Außenbereich (optional). IC-Lösungen mit hohem Signal- und Rauschverhältnis (S/NR). Unterstützt 10-Finger-Touch-Funktion.

18,5" Mildex CTP STANDARD, GFF mit EETI-8 Rand-zu-Rand-Design. Konfiguriertes Touchpanel-Modul. Kundenspezifisches Deckglasdesign. Veredelung von Materialien für den Außenbereich (optional). IC-Lösungen mit hohem Signal- und Rauschverhältnis (S/NR). Unterstützt 10-Finger-Touch-Funktion.

21,6" Mildex CTP STANDARD, GG mit EETI-80H84 COF Randloses Design. Konfiguriertes Touch-Panel-Modul. Individuell gestaltetes Abdeckglas. Verstärktes Material für Außeneinsatz (optional). IC-Lösungen mit hohem Signal-Rausch-Verhältnis (S/NR). Unterstützt 10-Finger-Touch-Funktion.

(DEL21)Micron 16G DDR4 2933 288PIN 2GbX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

(DEL21)Micron 32G DDR4 2933 288PIN 2GX4 DDR4 2933Mhz Registered DIMM. Unterstützt ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Bessere Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartungsfreundlichkeit (RAS) und verbesserte Datenintegrität.

16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

(DEL22)16G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC DDR4-2666 1GX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC-DDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Sulfidationsbeständigkeit. ECC.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

16G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

32G DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4 2400 ECC SO DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Hynix Original-Chip.

(DEL22)16G ECC SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC SO-DDR4-2666 1GX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

16G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 16GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30u" Goldbeschichtungsdicke. Anti-Schwefelungswiderstand. ECC.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1,2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

16G SO-DDR4-2666 1GbX8 1,2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1,2V HYX Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

32G SO-DDR4-2666 2GbX8 1.2V SAM Erhöhte Bandbreite, bis zu 2600 Mbps. Industriestand 30u Vergoldung. Verbesserte Leistungseffizienz. RoHS-konform & entspricht den JEDEC-Normen. Bis zu 32 GB.

(DEL23)GT730 2G PCIEX16 DVI+HDMI+VGA Low Profile NVIDIA GeForce® GT730 GPU. DVI-D, HDMI und VGA. 2GB Speichergröße. Low Profile.

SG IPC 5TB 2,5" 5KRPM SATA3 128MB 5 TB Speicher. 5K U/min 128MB Cache. Ideal für allgemeine Speicherzwecke. SATA-Schnittstelle. 3 Jahre Garantie.

SG Enterprise 2,5" 1,2TB 10KRPM SAS 12Gb/s 1,2TB Speicher. 10K RPM 256MB Cache. RAID-Unterstützung & 24x7. SAS 12Gb/s Schnittstelle. 5 Jahre eingeschränkte Garantie.

SG Enterprise 2,5" 1TB 7KRPM SATA 128MB 1TB Speicher. 7K RPM 128MB Cache. Raid-unterstützt & 24X7. SATA-Schnittstelle. 5 Jahre beschränkte Garantie.

SG Ent 2,5" 2TB 7KRPM SATA 128MB 512E 2TB Speicher. 7K RPM 128MB Cache. Raid-unterstützt & 24X7. SATA-Schnittstelle. 5 Jahre beschränkte Garantie.

SG Enterprise 2,5" 600GB 10KRPM SAS 12Gb/s 256MB 600GB Speicher.10K RPM 256MB Cache.RAID-Unterstützung & 24/7 Betrieb.SAS 12Gb/s Schnittstelle.5 Jahre eingeschränkte Garantie.

RAIDON SATA3 RAID0/1 2.5"-HDDX2 SCHWARZ Unterstützt 2 x 2.5" SATA SSD/HDD in einem 5.25"-Laufwerksschacht. Unterstützt RAID 0/1. Lesbares LCD-Display und LED-Anzeigen. Unterstützt bis zu SATA 6Gb/s. Unterstützt Hot Swap und automatische Wiederherstellung.

ADAPTEC 8405E SAS 4P 12GB/S 512M PCIEX8 RAID 0, 1, 10. 4 Ports (4 intern). 12Gbps Kompatibilität mit SA/SATA HDD oder SSD Geräten. Gemischter Modus RAID-Adapter und Caching-HBA-Funktionalität.

SOFTWARE, WIN 10 PRO 64BIT ENG 1PK CD INTL. Sicherheit in Unternehmensqualität für kleine und mittlere Unternehmen. Schnelle Bootzeiten und Reaktionsfähigkeit. Einfache Einrichtung und Verwaltung. Möglichkeit, Azure Active Directory beizutreten, mit Einzelanmeldung bei in der Cloud gehosteten Anwendungen3. Inklusive Produktschlüssel und DVD.

TR 128GB 2.5" SSD SATAIII MLC -40~90°C 2,5". MLC. SATA III. 128GB.

SSSTC SEMI-WT SSD 1TB 2,5" SATA3 Tos 96 KIOXIA 3D TLC. SATAIII. DEVICE-ON-UNTERSTÜTZUNG. SEMI-WI UNTERSTÜTZUNG (-25℃ ~ 85℃). BIS ZU 550MB LEISTUNG. OPTIMIERT FÜR IPC UND EDGE STORAGE.

TR 256GB 2.5" SSD SATAIII MLC -10~80°C 2.5". MLC. SATA III. 256 GB.

INTEL CELERON 2.2G 2MB 1150P G1820TE Intel Celeron G1820TE. 2,2 GHz. 2 MB Cache. LGA1150.

INTEL CELERON 2.7G 2MB 1150P G1820 Intel Celeron G1820. 2,7 GHz. 2 MB Cache. LGA1150.

CELERON 2.9G 2M 1151P G4900T Intel Celeron G4900T. 2,9 GHz. 2 MB Cache. FCLGA1151.

CELERON 3.1G 2M 1151P G4900 Intel Celeron G4900. 3,1 GHz. 2 MB Cache. FCLGA1151.