(DEL21)Micron 4GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 512 DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 UDIMM 3200Mhz 1Gb DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

16G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

(DEL22)4G ECC DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4 2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G ECC DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

(DEL22)4G DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

4G DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 4GB.

8G ECC DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 ECC DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

8G DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

8G DDR4-2666 1GbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffertes UDIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

512MB SO-DDR1 400 64X8 PROMOS DDR1-400 SO-DIMM. 200-Pin. 64MX8. Promo-Chip.

DDR2 800 SODIMM 1GB 128x8 Nanya Nanya DRAM-Chip. DDR3. So-DIMM. Ungepuffert. 1GB.

1G SO-DDR3-1333 128X8 1,5V SAM(G) DDR3-1333 SO-DIMM. 204-Pin. 128MX8. Samsung Chip.

1G SO-DDR3-1600 128X16 1.35V SAM DDR3 1600Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,35 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

4G ECC SO-DDR3-1600 512X8 1.35V SAM DDR3-1600 ECC SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Samsung Chip.

4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V HYX DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Hynix-Chip.

(DEL21)4G SO-DDR3-1600 512X8 1.35V MIC DDR3-1600 SO-DIMM. 204-Pin. 512MX8. Micron Chip.

Advantech 4G SO-DDR3-1600 204Pin 256X8 1,35V Unbuffered Samsung Chip DDR3-1600 SO-DIMM.204-Pin.256MX8.Samsung Chip.

(DEL21)Micron 8GB DDR4 SODIMM 3200Mhz 1G DDR4 3200Mhz ungepuffertes DIMM. SODIMM 260pin / UDIMM 288pin. 1,2 V Stromverbrauch. Stromsparende automatische Selbstaktualisierung (LPASR). Datenbus-Invertierung (DBI) für Datenbus. Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale.

16G SO-DDR4-2400 1GX8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

(DEL22)4G ECC SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SA DDR4 2400 ECC SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G ECC SO-DDR4-2666 512X8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz SO-DIMM / UDIMM mit ECC. 30μ" Dicke der Vergoldung. Antisulfurierungswiderstand. Serielle Anwesenheitserkennung mit EEPROM. Unterstützung von ECC-Fehlererkennung und -Korrektur. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V HYX DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldungsstärke (IPC-2221 Standard). 1,2 V Stromverbrauch. RoHS-konform. Hynix Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X8 1.2V SAM DDR4-2400 Ungepuffertes SO-DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 1,2 V Stromverbrauch. Samsung Original-Chip.

4G SO-DDR4-2400 512X16 1.2V SAM Samsung DRAM-Chip. DDR4-Spezifikation. Ungepuffertes DIMM. 30μ" Vergoldung Dicke. 4GB.

4G SO-DDR4-2666 512MbX8 1.2V SAM DDR4 2666Mhz ungepuffert SO-DIMM. 30μ" Dicke der Vergoldung. 1,2 V Stromverbrauch. 100% getestet auf Stabilität, Kompatibilität und Leistung. Samsung Original-Chip.

8G ECC-SODDR4-3200 1.2V 1GbX8 SAM 8GB. Geschwindigkeit 3200MHz. 30µ" Goldbeschichtung Dicke. Schwefelbeständigkeit. ECC.

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ATP 4G MICRO SD-KARTE I-GRD SLC(G) Unterstützt SD-Modus, SPI-Modus. Hohe Zuverlässigkeit, Betrieb bei -40~ 85°C. SLC NAND-Flash-Speicher. Wasserfest, staubdicht und ESD-beständig. Erweiterte Unterstützung für Stromzyklen.

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SSSTC SEMI-WT SSD 128GB 2.5" SATA3 Tos 9 KIOXIA 3D TLC. SATAIII. DEVICE-ON-UNTERSTÜTZUNG. SEMI-WI UNTERSTÜTZUNG (-25℃ ~ 85℃). BIS ZU 550MB LEISTUNG. OPTIMIERT FÜR IPC UND EDGE STORAGE.

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SOLID STATE DISK, Micron 5300PRO 2.5" 960GB SATA3 3DTLC SATA 6 Gb/s-Schnittstelle. Micron 3D TLC NAND Flash. Hot-Plug-fähig. Unterstützung der ATA-Sicherheitsfunktion für Befehlssatz und Passwortanmeldung. Ausdauer: Insgesamt geschriebene Bytes (TBW) Bis zu 9110TB. Zuverlässigkeit: MTTF 3,0 Millionen Gerätestunden.

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